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Aktive Bauelemente Halbleiter Transistoren bipolar, IGBTs Transistoren

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC857CW SOT-323 PNP

EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Zwei elektronische SOT-323-Chips mit mehreren Pins, die zur Leiterplattenmontage verwendet werden.
Abbildung ähnlich
Zwei elektronische SOT-323-Chips mit mehreren Pins, die zur Leiterplattenmontage verwendet werden.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-323
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
Datenblatt (PDF)
English
Diotec
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Highlights & Details

BJT, SOT-323, 45V, 100mA, PNP

Unser Service für Sie

Technische Daten

  • Typ: SMD
  • Gehäuse: SOT-323
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
  • DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
  • Polarität - pol: PNP
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 0.200 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 520
  • VCE: 5 V
  • IC: 2 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 650 mV
  • IC: 100 mA
  • IB: 5 mA
  • Transitfrequenz - ft: 100 MHz
  • IC: 10 mA
  • VCE: 5 V
  • f: 100 MHz
Typ

BC857CW

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-323

Hersteller

Diotec

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

100 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

45 V

VCE Sättigung (max.)

650 mV

Leistung (max) P(TOT)

0.2 W

DC Stromverstärkung (hFE)

520

Transitfrequenz f(T)

100 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Gehäuse
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
Leistung (max) P(TOT)
Ausführung
 
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850A SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850A SOT-23 NPN

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SOT-23
45 V
0.25 W
NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850A-AQ SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850A-AQ SOT-23 NPN

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SOT-23
45 V
0.25 W
NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850B SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850B SOT-23 NPN

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SOT-23
45 V
0.25 W
NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850B-AQ SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850B-AQ SOT-23 NPN

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SOT-23
45 V
0.25 W
NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850C SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850C SOT-23 NPN

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SOT-23
45 V
0.25 W
NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850C-AQ SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC850C-AQ SOT-23 NPN

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SOT-23
45 V
0.25 W
NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856A SOT-23 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856A SOT-23 PNP

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SOT-23
65 V
0.25 W
PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856A-AQ SOT-23 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856A-AQ SOT-23 PNP

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SOT-23
65 V
0.25 W
PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856AW SOT-323 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856AW SOT-323 PNP

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SOT-323
65 V
0.2 W
PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856B SOT-23 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856B SOT-23 PNP

2809266

 
SOT-23
65 V
0.25 W
PNP

Dokumente & Downloads

Datenblatt

English

Datenblatt 2809282 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC857CW SOT-323 PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809282 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC857CW SOT-323 PNP

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=BC857CW, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=850 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=520, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=30 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=30 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=650 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=100 mA, Leistungsverteilung (PV)=200 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=SOT-323, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=BC857CW, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=850 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=520, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=30 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=30 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=650 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=100 mA, Leistungsverteilung (PV)=200 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=SOT-323, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101

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