Abbildung ähnlich
Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP55-10 SOT-223 NPN
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-223
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1000 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
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Anzahl
Min.: 200
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Highlights & Details
BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-223
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 60 V
- DC Kollektorstrom - IC: 1000 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 2.000 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 63
- VCE: 2 V
- IC: 150 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
- IC: 500 mA
- IB: 50 mA
- Transitfrequenz - ft: 100 MHz
- IC: 50 mA
- VCE: 10 V
- f: 100 MHz
- Typ
BCP55-10
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-223
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
1000 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Leistung (max) P(TOT)
2 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
63
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809311 Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP55-10 SOT-223 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809311 Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP55-10 SOT-223 NPN
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