Abbildung ähnlich
Diotec Transistor (BJT) - diskret BDP50-16 SOT-223 PNP
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-223
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
3000 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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Anzahl
Min.: 90
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Highlights & Details
BJT, SOT-223, 60V, 3000mA, PNP
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-223
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 60 V
- DC Kollektorstrom - IC: 3000 mA
- Polarität - pol: PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: °C
- Verlustleistung - Ptot: 2.000 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 160
- VCE: 2 V
- IC: 500 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 300 mV
- IC: 1000 mA
- IB: 100 mA
- Transitfrequenz - ft: 75 MHz
- IC: 100 mA
- VCE: 5 V
- f: 100 MHz
- Typ
BDP50-16
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-223
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
3000 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
300 mV
- Leistung (max) P(TOT)
2 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
160
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809327 Diotec Transistor (BJT) - diskret BDP50-16 SOT-223 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809327 Diotec Transistor (BJT) - diskret BDP50-16 SOT-223 PNP
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