Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5401-AQ SOT-23 PNP
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
150 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
750
-
€ 0,03013
2250
9% = € 0,00
€ 0,02738
3750
13% = € 0,00
€ 0,02628
7500
15% = € 0,00
€ 0,02555
15000
17% = € 0,01
€ 0,02500
30000
20% = € 0,01
€ 0,02409
75000
23% = € 0,01
€ 0,02318
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen € 0,00
Anzahl
Min.: 750
Gesamt (€ 0,03013 / Stück)
€ 22,60
zzgl. gesetzl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
BJT, SOT-23, 150V, 600mA, PNP
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-23
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 150 V
- DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
- Polarität - pol: PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 200
- VCE: 5 V
- IC: 10 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
- IC: 50 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 300 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 10 V
- f: 100 MHz
- Typ
MMBT5401-AQ
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
600 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
150 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
200
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2810128 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5401-AQ SOT-23 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2810128 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5401-AQ SOT-23 PNP