ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6491G TO-220 PNP Tube
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
15 A
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Anzahl
Min.: 50
Vielfache: 50
Gesamt (€ 1,49 / Stück)
€ 1,49
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Highlights & Details
Leistungstransistoren 2N D MJ TIP_
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tube
- Typ
2N6491G
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
ON Semiconductor
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
15 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
- Leistung (max) P(TOT)
75 W
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
20 µA
- Transitfrequenz f(T)
0.005 GHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3027554 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6491G TO-220 PNP Tube
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3027554 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6491G TO-220 PNP Tube
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