ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE15030G TO-220 NPN Tube
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
8 A
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
50
-
€ 1,91
150
7% = € 0,14
€ 1,77
250
10% = € 0,20
€ 1,71
500
13% = € 0,24
€ 1,67
1000
14% = € 0,27
€ 1,64
2000
17% = € 0,32
€ 1,59
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Min.: 50
Vielfache: 50
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Highlights & Details
Leistungstransistoren 2N D MJ TIP_
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tube
- Typ
MJE15030G
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
ON Semiconductor
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
8 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
150 V
- Leistung (max) P(TOT)
50 W
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
20 µA
- Transitfrequenz f(T)
0.030 GHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3027551 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE15030G TO-220 NPN Tube
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3027551 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE15030G TO-220 NPN Tube