Abbildung ähnlich
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N3904 TO-92 NPN
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
200 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
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Highlights & Details
BJT, TO-92, 40V, 200mA, NPN
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Technische Daten
- Typ: Wire-lead
- Gehäuse: TO-92
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 40 V
- DC Kollektorstrom - IC: 200 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 100
- VCE: 1 V
- IC: 10 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 300 mV
- IC: 50 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 300 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 20 V
- f: 100 MHz
- Typ
2N3904
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
200 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
- VCE Sättigung (max.)
300 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.625 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
100
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2808993 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N3904 TO-92 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2808993 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N3904 TO-92 NPN
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=2N3904, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=950 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=300, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=60 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=40 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=300 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=200 mA, Leistungsverteilung (PV)=625 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=300 MHz, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Gurtware
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