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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.
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Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
STMicroelectronics
Sofort-Lieferung Di., 27. Okt.

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Highlights & Details

Leistungs-Schalttransistor

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Technische Daten

Typ

MJE3055T

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

STMicroelectronics

Herst.-Abk.

STM

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

10 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

60 V

VCE Sättigung (max.)

8 V

Kollektor Reststrom I(CES)

700 µA

Leistung (max) P(TOT)

75 W

DC Stromverstärkung (hFE)

20

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

4 A

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

4 V

Transitfrequenz f(T)

2 MHz

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Collector-Strom I(C)
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
Leistung (max) P(TOT)
 
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
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Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 150931 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 150931 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

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