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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
3
-
€ 1,08
9
8% = € 0,09
€ 0,99
15
12% = € 0,13
€ 0,95
30
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Highlights & Details
Leistungs-Schalttransistor
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Technische Daten
- Typ
MJE3055T
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
10 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
8 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
700 µA
- Leistung (max) P(TOT)
75 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
20
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
4 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
4 V
- Transitfrequenz f(T)
2 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 150931 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 150931 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN