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Highlights & Details
Leistungs-Schalttransistor
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Technische Daten
- Typ
MJE3055T
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
10 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
8 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
700 µA
- Leistung (max) P(TOT)
75 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
20
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
4 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
4 V
- Transitfrequenz f(T)
2 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 150931 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 150931 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Wird oft zusammen gekauft
(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)Gesamtpreis:
€ 12,48*
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Zubehör
(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)Das notwendige Zubehör ist erforderlich, um den Artikel wie beschrieben zu verwenden































