Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC549A TO-92 NPN
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
30 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
100
-
€ 0,03115
300
9% = € 0,00
€ 0,02831
500
13% = € 0,00
€ 0,02718
1000
15% = € 0,00
€ 0,02643
2000
17% = € 0,01
€ 0,02586
4000
20% = € 0,01
€ 0,02491
10000
23% = € 0,01
€ 0,02397
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen € 0,00
Anzahl
Min.: 100
Gesamt (€ 0,03115 / Stück)
€ 3,12
zzgl. gesetzl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
BJT, TO-92, 30V, 100mA, NPN
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: Wire-lead
- Gehäuse: TO-92
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 30 V
- DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.500 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 110
- VCE: 5 V
- IC: 2 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 600 mV
- IC: 100 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 300 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 5 V
- f: 100 MHz
- Typ
BC549A
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
30 V
- VCE Sättigung (max.)
600 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.5 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
110
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809163 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC549A TO-92 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809163 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC549A TO-92 NPN