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Infineon Technologies HF-Transistor (BJT) BFR193 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Produkt-Art
HF-Transistor (BJT)
Gehäuse
TO-236-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
80 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
12 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Anzahl
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Highlights & Details
NPN-Breitbandtransistor
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Technische Daten
- Typ
BFR193
- Produkt-Art
HF-Transistor (BJT)
- Gehäuse
TO-236-3
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
80 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
12 V
- Leistung (max) P(TOT)
580 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
70
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
30 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
8 V
- Transitfrequenz f(T)
8 GHz
- Rauschzahl F (min.)
1 dB
- Rauschzahl F (max.)
1.6 dB
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 153241 Infineon Technologies HF-Transistor (BJT) BFR193 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Beschreibung
NPN-Breitbandtransistor (8 mm-Gurt).
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