Abbildung ähnlich
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV29 SOT-89 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-89
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
30 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details
NPN-Darlington-Transistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BCV29
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-89
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
500 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
30 V
- VCE Sättigung (max.)
1 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
- Leistung (max) P(TOT)
1 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
20000
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
100 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Transitfrequenz f(T)
150 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 152949 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV29 SOT-89 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 152949 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV29 SOT-89 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Beschreibung
NPN-Darlington-Transistor (12 mm-Gurt).
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