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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33725BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
Menge (Stück)
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Highlights & Details
Transistor
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Technische Daten
- Typ
BC33725BU
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
800 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
- VCE Sättigung (max.)
700 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
- Leistung (max) P(TOT)
625 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
160
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
100 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
1 V
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
