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Conrad

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33725BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
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Highlights & Details

Transistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

BC33725BU

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

800 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

45 V

VCE Sättigung (max.)

700 mV

Kollektor Reststrom I(CES)

100 nA

Leistung (max) P(TOT)

625 mW

DC Stromverstärkung (hFE)

160

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

100 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

1 V

Transitfrequenz f(T)

100 MHz

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Wird oft zusammen gekauft

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Gesamtpreis:

€ 8,40*

Zubehör

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