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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13716STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-126-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1.5 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
5
-
€ 0,44
15
9% = € 0,04
€ 0,40
25
14% = € 0,06
€ 0,38
50
16% = € 0,07
€ 0,37
100
18% = € 0,08
€ 0,36
200
20% = € 0,09
€ 0,35
500
23% = € 0,10
€ 0,34
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BD13716STU
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-126-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
1.5 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
- Leistung (max) P(TOT)
1.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
100
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
150 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
2 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 151036 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13716STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151036 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13716STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Beschreibung
Hinweise
Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.