ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11015G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-3
Ausführung
PNP - Darlington
Collector-Strom I(C)
-30 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-120 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details
Darlington Transistor
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Technische Daten
- Typ
MJ11015G
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP - Darlington
- Collector-Strom I(C)
-30 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-120 V
- VCE Sättigung (max.)
-4 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
-1 mA
- Leistung (max) P(TOT)
200 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
1000
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-20 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-5 V
- Transitfrequenz f(T)
4 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 151333 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11015G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151333 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11015G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington
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