Abbildung ähnlich
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15004G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-3
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-20 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-140 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
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Technische Daten
- Typ
MJ15004G
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-20 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-140 V
- VCE Sättigung (max.)
-1 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
-250 µA
- Leistung (max) P(TOT)
250 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
25
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-5 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-2 V
- Transitfrequenz f(T)
2 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 151169 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15004G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151169 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15004G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
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