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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP110 TO-220-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220-3
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
2 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details
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Technische Daten
- Typ
TIP110
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
2 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
2.5 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
2 mA
- Leistung (max) P(TOT)
2 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
1000
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
4 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 161683 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP110 TO-220-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 161683 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP110 TO-220-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Beschreibung
Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = FRE.
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