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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Fairchild Semiconductor BUZ11 1 N-Kanal 75 W TO-220-3

Fairchild Semiconductor
Rated 5 out of 5 by 7 reviewers.
  • 2015-10-20T17:22:41.350-05:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_7, tr_7
  • loc_en_US, sid_151334, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 151334 - 62
Teile-Nr.: BUZ11 |  EAN: 2050000013799
Abbildung ähnlich
  • € 0,70
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 06.12 bis 07.12.2016

    MOSFET, N-Kanal

    Technische Daten

    Typ
    BUZ11
    Gehäuse
    TO‑220‑3
    Hersteller
    Fairchild Semiconductor
    Herst.-Abk.
    FSC
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    30 A
    U
    50 V
    Ptot
    75 W
    R(DS)(on)
    40 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    15 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    1 mA
    C(ISS)
    2000 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    50 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

    Beschreibung

    Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Dieser Transistor ist µC-, TTL- und CMOS-kompatibel.
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    • 2015-10-20T17:22:41.350-05:00
    • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
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    • co_hasreviews, tv_7, tr_7
    • loc_en_US, sid_151334, prod, sort_default