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MOSFET Infineon Technologies IRF5210PBF 1 P-Kanal 200 W TO-220

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162406 - 62
Teile-Nr.: IRF5210PBF |  EAN: 2050000040986
Abbildung ähnlich
  • € 1,99
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 06.12 bis 07.12.2016

    Power MOSFET, P-Kanal

    Technische Daten

    Typ
    IRF5210PBF
    Gehäuse
    TO‑220
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    P‑Kanal
    I(d)
    40 A
    U
    100 V
    Ptot
    200 W
    R(DS)(on)
    60 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    24 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    180 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    2700 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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