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MOSFET Infineon Technologies IRFP3710PBF 1 N-Kanal 200 W TO-247-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162653 - 62
Teile-Nr.: IRFP3710PBF |  EAN: 2050000042997
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    • Typ: IRFP3710PBF
    • Gehäuse: TO-247-3
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRFP3710PBF
    Gehäuse
    TO-247-3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    57 A
    U
    100 V
    Ptot
    200 W
    R(DS)(on)
    25 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    28 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    190 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    3000 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Beschreibung

    Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Dieser Transistor ist µC-, TTL- und CMOS-kompatibel. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
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