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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFU220NPBF 1 N-Kanal 43 W TO-251-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564096 - 62
Teile-Nr.: IRFU220NPBF |  EAN: 2050003203838
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  • € 1,39
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRFU220NPBF
    Gehäuse
    TO‑251‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    115 mA
    U
    200 V
    Ptot
    43 W
    R(DS)(on)
    600 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    2.9 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    23 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    300 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    200 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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