JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRL520NPBF 1 N-Kanal 48 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161151 - 62
Teile-Nr.: IRL520NPBF |  EAN: 2050001541956
Abbildung ähnlich
  • € 0,71
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 13.12 bis 14.12.2016

    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRL520NPBF
    Gehäuse
    TO‑220AB
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    10 A
    U
    100 V
    Ptot
    48 W
    R(DS)(on)
    180 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    20 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    5 V
    C(ISS)
    440 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, anreicherungstyp, IRL520NPBF-ND, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, IRL520NPBF, fieldeffect-transistor, mos-fet