JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLB3034PBF 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

Infineon Technologies
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2015-10-20T17:22:12.914-05:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_161162, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 161162 - 62
Teile-Nr.: IRLB3034PBF |  EAN: 2050001542045
Abbildung ähnlich
  • € 3,79
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 06.12 bis 07.12.2016

    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRLB3034PBF
    Gehäuse
    TO‑220AB
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    195 A
    U
    40 V
    Ptot
    375 W
    R(DS)(on)
    1.7 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    195 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    162 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    10315 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    40 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, anreicherungstyp, IRLB3034PBF-ND, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, IRLB3034PBF, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
    Rated 5 out of 5 by Das Fet für AS Perfekt für Elektronik im AS-Bereich. Siehe Godwin's Techblog. 23. Mai 2013
    • 2015-10-20T17:22:12.914-05:00
    • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
    • cp-1, bvpage1
    • co_hasreviews, tv_1, tr_1
    • loc_en_US, sid_161162, prod, sort_default
    1-1 von 1