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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies SPW20N60S5 1 N-Kanal 208 W TO-247

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153985 - 62
Teile-Nr.: SPW20N60S5 |  EAN: 2050000025181
Abbildung ähnlich
  • € 5,99
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 13.12 bis 14.12.2016

    CoolMOS™

    Technische Daten

    Typ
    SPW20N60S5
    Gehäuse
    TO‑247
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    20 A
    U
    600 V
    Ptot
    208 W
    R(DS)(on)
    190 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    13 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    1 mA
    Q(G)
    103 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    3000 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    CoolMOS™
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    600 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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