JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET NXP Semiconductors BSS84GEG 1 P-Kanal 0.36 W SOT-23

NXP Semiconductors
Bestell-Nr.: 150901 - 62
Teile-Nr.: BSS84GEG |  EAN: 2050000011900
Abbildung ähnlich
  • € 0,26
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 06.12 bis 07.12.2016

    MOSFET (≤ 1 W)

    Technische Daten

    Typ
    BSS84GEG
    Gehäuse
    SOT‑23
    Hersteller
    NXP Semiconductors
    Herst.-Abk.
    NXP
    Ausführung
    P‑Kanal
    I(d)
    130 mA
    U
    50 V
    Ptot
    0.36 W
    R(DS)(on)
    10 Ω
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    130 mA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    1 mA
    C(ISS)
    45 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    U(DSS)
    50 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, NXP Semiconductors, Junction fet, source, selbstleitend, BSS84GEG, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet