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MOSFET Vishay IRFD110PBF 1 N-Kanal 1.3 W DIP-4

Vishay
Bestell-Nr.: 162582 - 62
Teile-Nr.: IRFD110PBF |  EAN: 2050000042409
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 19.10 bis 20.10.2017
    • Typ: IRFD110PBF
    • Gehäuse: DIP-4
    • Hersteller: Vishay
    • Herst.-Abk.: VIS
    • Ausführung: N-Kanal

    MOSFET (HEXFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRFD110PBF
    Gehäuse
    DIP-4
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    1 A
    U
    100 V
    Ptot
    1.3 W
    R(DS)(on)
    540 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    600 mA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    8.3 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    180 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

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