- Produkt-Art
- MOSFET923IGBT2MOSFET/IGBT-Set1Transistor - JFET1
- VerkäuferConrad Electronic SE
- Preis
- Marke
- Infineon Technologies347Vishay139Diotec129Taiwan Semiconductor94STMicroelectronics75Littelfuse69ON Semiconductor57DIODES Incorporated12IXYS3MCC3ifm Electronic1Kemo1Kerkmann1
- Leistung (max) P(TOT)
- 0.2 W5225 mW20.25 W40.275 W10.31 W10.35 W8350 mW7360 mW70.36 W6400 mW20.4 W10.41 W10.5 W4500 mW10.53 W1540 mW2700 mW1710 mW10.75 W1800 mW1830 mW20.9 W1900 mW10.96 W11 W51.0 W11.1 W11.25 W111.3 W121.4 W51.5 W51.56 W11.6 W21.7 W31.78 W11.8 W101.9 W12.0 W162 W42.1 W52.3 W12.4 W12.5 W182.8 W13 W23.1 W63.75 W13.8 W54 W34.2 W25 W85.7 W26 W36.3 W16.6 W17.8 W18 W210.8 W113 W114 W116 W317 W120 W121 W122 W122.7 W224 W125 W2128 W329 W129.7 W230 W231 W532 W134 W335 W435.7 W236 W238 W239 W240 W941 W141.67 W141.7 W142 W1143 W544 W145 W1546 W348 W648.3 W250 W551 W152 W354 W560 W562 W262.5 W263 W166 W368 W869 W270 W471 W374 W675 W678 W179 W580 W382 W283 W585 W186 W188 W290 W691 W192 W194 W295 W298 W199 W3100 W3101 W1107 W1110 W28115 W2120 W4125 W24128 W1130 W9131 W1135 W2140 W16143 W2144 W5150 W18151 W4156 W1160 W9170 W9176 W3178 W1180 W7190 W11192 W1200 W18208 W4214 W1220 W1227 W1230 W20231 W1235 W1245 W1250 W4277 W1278 W3280 W7290 W1294 W4298 W1300 W15310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W3357 W1360 W7370 W8375 W18380 W6390 W5391 W1400 W5425 W1446 W3460 W1470 W1480 W4481 W2517 W1520 W4580 W1595 W2625 W2780 W2800 W1940 W2960 W21040 W11170 W11250 W11500 W1
- R(DS)(on) Referenz-Strom
- -10 A9-20 A7-3 A4-4 A4-1 A3-30 A3-15 A1-2 A1-6 A10 A40.1 mA10.0416666666666667 A100.1 A1120 mA10.125 A30.166666666666667 A2170 mA2190 mA1200 mA3220 mA20.291666666666667 A3330 mA10.333333333333333 A2400 mA10.416666666666667 A5500 mA5660 mA1910 mA1930 mA11.2 A21.25 A11.4 A11.5 A31.6 A11.9 A22 A12.2 A22.3 A12.4 A12.5 A32.6 A12.7 A22.75 A12.8 A22.9 A23 A13.1 A23.3 A13.4 A23.5 A13.6 A23.7 A24 A24.1 A24.2 A14.3 A24.5 A24.8 A35 A15.2 A15.4 A25.5 A35.7 A15.8 A16 A26.3 A16.6 A37.2 A38 A18.4 A58.5 A18.6 A19 A29.2 A19.6 A110 A611 A712 A413 A313.5 A114 A115 A516 A717 A318 A320 A1021 A122 A323 A523.5 A124 A525 A425.5 A126 A128 A430 A1031 A132 A133 A335 A438 A240 A741 A142 A144 A245 A246 A347 A149 A150 A652 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A266 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -40 V14-60 V10-30 V8-20 V4-100 V3-50 V2-200 V112 V120 V1124 V125 V330 V3740 V2345 V250 V755 V2860 V6965 V975 V1280 V385 V190 V1100 V54150 V29200 V26250 V8300 V3400 V10500 V27600 V27650 V7800 V3900 V21000 V5
- Gehäuse
- Nur ISO-zertifizierte Verkäufer
- Montageart
- Ausführung
- R(DS)(on)
- U(GS)(th) max.
- Verpackungsart
- C(ISS)
- Zertifizierungen
- Häufig gesuchte Kategorien:
- Refurbished & Angebote
MOSFETS
931 ErgebnisseDetails | Preis | Verfügbarkeit | Gehäuse | Leistung (max) P(TOT) | Montageart | Zertifizierungen | U(DSS) | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) Referenz-Strom | R(DS)(on) | Ausführung | Verpackungsart | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Abb. ähnlich Diotec 2N7000 MOSFET 0.35 W TO-92Conrad Electronic Bestell-Nr.:2808999 EAN:2050008896974 Teile-Nr.:2N7000 zzgl. MwSt. 1243 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 100 | TO-92 | 0.35 W | Durchsteckmontage | RoHS | 60 V | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162877 EAN:2050000044786 Teile-Nr.:IRLZ44NPBF zzgl. MwSt. 3541 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 3 | TO-220 | 110 W | Durchführungsloch | - | 55 V | 2 V | 1700 pF | 25 A | 22 mΩ | HEXFET | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML2803TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 540 mW SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:162828 EAN:2050000044373 Teile-Nr.:IRLML2803TRPBF zzgl. MwSt. 250 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 15 | SOT-23 | 540 mW | Oberflächenmontage | - | 30 V | 1 V | 85 pF | 910 mA | 250 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ44NPBF MOSFET 1 N-Kanal 94 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162747 EAN:2050000043772 Teile-Nr.:IRFZ44NPBF zzgl. MwSt. 766 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 2 | TO-220 | 94 W | Durchführungsloch | - | 55 V | 4 V | 1470 pF | 25 A | 17.5 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162399 EAN:2050000040924 Teile-Nr.:IRF4905PBF zzgl. MwSt. 176 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 200 W | Durchführungsloch | - | 55 V | 4 V | 3400 pF | 38 A | 20 mΩ | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic Bestell-Nr.:3409648 EAN:2050012215310 Teile-Nr.:SI2319CDS-T1-GE3 zzgl. MwSt. 9 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor RFP12N10L MOSFET 1 N-Kanal 60 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:151623 EAN:2050000014703 Teile-Nr.:RFP12N10L zzgl. MwSt. 602 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220AB | 60 W | Durchführungsloch | - | 100 V | 2 V | 900 pF | 12 A | 200 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP55NF06 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220 TubeConrad Electronic Bestell-Nr.:3026610 EAN:2050009795542 Teile-Nr.:STP55NF06 zzgl. MwSt. 130 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | 110 W | Durchführungsloch | RoHS | 60 V | 3 V | 1300 pF | 50 A | 0.018 Ω | N-Kanal | Tube | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-263-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:162408 EAN:2050000041006 Teile-Nr.:IRF5305 zzgl. MwSt. 575 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-263-3 | 3.8 W | Oberflächenmontage | RoHS | 55 V | 4 V | 1200 pF | 16 A | 60 mΩ | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:161165 EAN:2050001542076 Teile-Nr.:IRLB4030PBF zzgl. MwSt. 269 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220AB | 370 W | Durchführungsloch | - | 100 V | 2.5 V | 11360 pF | 110 A | 4.3 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000 MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92Conrad Electronic Bestell-Nr.:151034 EAN:2050000012570 Teile-Nr.:2N7000 zzgl. MwSt. 7348 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 7 | TO-92 | 400 mW | Durchführungsloch | - | 60 V | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | N-Kanal | - | |||
Infineon Technologies IRF7205PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 2.5 W SO-8Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026236 EAN:2050009791797 Teile-Nr.:IRF7205TRPBF zzgl. MwSt. 7 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 3 | SO-8 | 2.5 W | Oberflächenmontage | - | - | - | - | - | 0.07 Ω | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP26NM60N MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026600 EAN:2050009794446 Teile-Nr.:STP26NM60N zzgl. MwSt. 21 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 140 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.165 Ω | N-Kanal | - | |||
Infineon Technologies IRLZ44NSPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAKConrad Electronic Bestell-Nr.:3026440 EAN:2050009793838 Teile-Nr.:IRLZ44NSTRLPBF zzgl. MwSt. 213 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | D2PAK | 110 W | Oberflächenmontage | - | - | - | - | - | 0.035 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1262890 EAN:2050002635845 Teile-Nr.:2N7000TA zzgl. MwSt. 1335 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-92-3 | 400 mW | Durchführungsloch | - | 60 V | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:162659 EAN:2050000043055 Teile-Nr.:IRFP460PBF zzgl. MwSt. 226 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247 | 280 W | Durchführungsloch | - | 500 V | 4 V | 4200 pF | 12 A | 270 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9530PBF MOSFET 1 P-Kanal 88 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:597144 EAN:2050003222334 Teile-Nr.:IRF9530PBF -22% zzgl. MwSt. 69 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 3 | TO-220AB | 88 W | Durchführungsloch | - | 100 V | 4 V | 860 pF | 7.2 A | 300 mΩ | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1262893 EAN:2050002635876 Teile-Nr.:2N7002K -17% zzgl. MwSt. 414 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10 | SOT-23-3 | 350 mW | Oberflächenmontage | - | 60 V | 2.5 V | 50 pF | 500 mA | 2 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162873 EAN:2050000044755 Teile-Nr.:IRLZ34NPBF zzgl. MwSt. 1182 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 3 | TO-220 | 68 W | Durchführungsloch | - | 55 V | 2 V | 880 pF | 16 A | 35 mΩ | HEXFET | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF530PBF MOSFET 1 N-Kanal 88 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:597111 EAN:2050003222044 Teile-Nr.:IRF530PBF zzgl. MwSt. 78 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 3 | TO-220AB | 88 W | Durchführungsloch | - | 100 V | 4 V | 670 pF | 8.4 A | 160 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1263060 EAN:2050002637542 Teile-Nr.:BS170-D27Z -60% € 0,20 € 0,08 zzgl. MwSt. 2030 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-92-3 | 830 mW | Durchführungsloch | - | 60 V | 3 V | 40 pF | 200 mA | 5 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-Kanal 120 W TO-220-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1264194 EAN:2050002648883 Teile-Nr.:FQP27P06 -8% zzgl. MwSt. 135 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220-3 | 120 W | Durchführungsloch | - | 60 V | 4 V | 1400 pF | 13.5 A | 70 mΩ | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich DIODES Incorporated DMP2035U-7 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic Bestell-Nr.:3409457 EAN:2050012213408 Teile-Nr.:DMP2035U-7 -55% € 0,10 € 0,04538 zzgl. MwSt. 847 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML0100TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:161183 EAN:2050001542243 Teile-Nr.:IRLML0100TRPBF -26% € 0,16 € 0,11819 zzgl. MwSt. 168 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | SOT-23 | 1.3 W | Oberflächenmontage | - | 100 V | 2.5 V | 290 pF | 1.6 A | 220 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:151334 EAN:2050000013799 Teile-Nr.:BUZ11NR4941 zzgl. MwSt. 269 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220-3 | 75 W | Durchführungsloch | - | 50 V | 4 V | 2000 pF | 15 A | 40 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:158712 EAN:2050000039195 Teile-Nr.:IRF3205 zzgl. MwSt. 179 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220AB | 200 W | Oberflächenmontage | - | 55 V | 4 V | 3247 pF | 62 A | 8 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW TO-92Conrad Electronic Bestell-Nr.:158950 EAN:2050000039232 Teile-Nr.:BS170 zzgl. MwSt. 2170 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 15 | TO-92 | 350 mW | Durchführungsloch | - | 60 V | 3 V | 60 pF | 200 mA | 5 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3306PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:160926 EAN:2050001540379 Teile-Nr.:IRFB3306PBF zzgl. MwSt. 58 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220AB | 230 W | Durchführungsloch | - | 60 V | 4 V | 4520 pF | 75 A | 4.2 mΩ | N-Kanal | - | |||
Infineon Technologies BSP315P MOSFET 1 P-Kanal 1.8 W SOT-223Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026212 EAN:2050009791551 Teile-Nr.:BSP315PH6327XTSA1 zzgl. MwSt. 8 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 5 | SOT-223 | 1.8 W | Oberflächenmontage | - | - | - | - | - | 0.8 Ω | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP6NK90Z MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026558 EAN:2050009794026 Teile-Nr.:STP6NK90Z zzgl. MwSt. 2050 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | 140 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 2 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1405PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162375 EAN:2050000040740 Teile-Nr.:IRF1405PBF zzgl. MwSt. 553 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 330 W | Durchführungsloch | - | 55 V | 4 V | 5480 pF | 101 A | 5.3 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 710 mW SOT-23-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:597294 EAN:2050003223607 Teile-Nr.:SI2302CDS-T1-GE3 -67% € 0,33 € 0,11 zzgl. MwSt. 2515 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | SOT-23-3 | 710 mW | Oberflächenmontage | - | 20 V | 0.85 V | - | 3.6 A | 57 mΩ | N-Kanal | - | |||
Infineon Technologies IR2104SPBF IGBT 2 SOIC-8Conrad Electronic Bestell-Nr.:3028361 EAN:2050009811846 Teile-Nr.:IR2104SPBF zzgl. MwSt. 7 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 5 | SOIC-8 | - | Oberflächenmontage | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPW60R070C6 MOSFET 1 N-Kanal 391 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026334 EAN:2050009792770 Teile-Nr.:IPW60R070C6FKSA1 zzgl. MwSt. 77 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247 | 391 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.07 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP9240 MOSFET 1 P-Kanal 150 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:162663 EAN:2050000043093 Teile-Nr.:IRFP9240 zzgl. MwSt. 149 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247 | 150 W | Durchführungsloch | - | 200 V | 4 V | 1200 pF | 7.2 A | 500 mΩ | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP240 MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:162641 EAN:2050000042898 Teile-Nr.:IRFP240 -49% zzgl. MwSt. 2 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247 | 150 W | Durchführungsloch | - | 200 V | 4 V | 1300 pF | 12 A | 180 mΩ | N-Kanal | - | |||
Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0 W SO-8Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026258 EAN:2050009792015 Teile-Nr.:IRF8313TRPBF zzgl. MwSt. 21 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 3 | SO-8 | 2.0 W | Oberflächenmontage | - | - | - | - | - | 0.0155 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162798 EAN:2050000044175 Teile-Nr.:IRL540NPBF zzgl. MwSt. 355 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 140 W | Durchführungsloch | - | 100 V | 2 V | 1800 pF | 18 A | 44 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:162833 EAN:2050000044410 Teile-Nr.:IRLML6402TRPBF zzgl. MwSt. 1222 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 20 | SOT-23 | 1.3 W | Oberflächenmontage | - | 20 V | 1.2 V | 633 pF | 3.7 A | 65 mΩ | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Bestell-Nr.:3026618 EAN:2050009795627 Teile-Nr.:STP7NK40Z -50% € 0,83 € 0,41873 zzgl. MwSt. 100 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | 70 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 1 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLR8743PBF MOSFET 1 N-Kanal 135 W DPAKConrad Electronic Bestell-Nr.:161216 EAN:2050001542533 Teile-Nr.:IRLR8743PBF zzgl. MwSt. 3041 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 2 | DPAK | 135 W | Oberflächenmontage | - | 30 V | 2.35 V | 4880 pF | 25 A | 3.1 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP65NF06 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026616 EAN:2050009795603 Teile-Nr.:STP65NF06 -13% zzgl. MwSt. 170 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | 110 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.014 Ω | N-Kanal | - | |||
![Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set](https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/de/1484608_GB_00_FB/kemo-power-mosfet-igbt-transistoren-s106-mosfet-igbt-set.jpg?x=600&y=354){kind=small} Abb. ähnlich Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-SetConrad Electronic Bestell-Nr.:1484608 EAN:4024028041223 Teile-Nr.:S106 -11% zzgl. MwSt. 59 Sets auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFR420TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 2.5 W TO-252-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:597245 EAN:2050003223195 Teile-Nr.:IRFR420TRPBF -27% zzgl. MwSt. 2000 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-252-3 | 2.5 W | Oberflächenmontage | - | 500 V | 4 V | 360 pF | 1.4 A | 3 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162424 EAN:2050000041150 Teile-Nr.:IRF640NPBF zzgl. MwSt. 418 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 150 W | Durchführungsloch | - | 200 V | 4 V | 1160 pF | 11 A | 150 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP60NF06 MOSFETDescrizioneConrad Electronic Bestell-Nr.:3026613 EAN:2050009795573 Teile-Nr.:STP60NF06 zzgl. MwSt. 530 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | 110 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.016 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4019PBF MOSFET 1 N-Kanal 80 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:160930 EAN:2050001540416 Teile-Nr.:IRFB4019PBF -13% zzgl. MwSt. 38 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220AB | 80 W | Durchführungsloch | - | 150 V | 4.9 V | 800 pF | 10 A | 95 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAKConrad Electronic Bestell-Nr.:162398 EAN:2050000040917 Teile-Nr.:IRF3710SPBF -35% € 1,66 € 1,08 zzgl. MwSt. 555 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | D2PAK | 200 W | Oberflächenmontage | - | 100 V | 4 V | 3130 pF | 28 A | 23 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPP11N60C3 MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026450 EAN:2050009793937 Teile-Nr.:SPP11N60C3XKSA1 zzgl. MwSt. 210 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 125 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.38 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP150NPBF MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-247-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:162639 EAN:2050000042874 Teile-Nr.:IRFP150NPBF zzgl. MwSt. 293 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247-3 | 160 W | Durchführungsloch | - | 100 V | 4 V | 1900 pF | 23 A | 36 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP22N50APBF MOSFET 1 N-Kanal 277 W TO-247ACConrad Electronic Bestell-Nr.:162640 EAN:2050000042881 Teile-Nr.:IRFP22N50APBF zzgl. MwSt. 405 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 5Vielfache: 5 | TO-247AC | 277 W | Durchführungsloch | - | 500 V | 4 V | 3450 pF | 13 A | 230 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162551 EAN:2050000042102 Teile-Nr.:IRF9Z34N zzgl. MwSt. 805 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 5 | TO-220 | 3.8 W | Oberflächenmontage | - | 55 V | 4 V | 620 pF | 10 A | 100 mΩ | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162404 EAN:2050000040962 Teile-Nr.:IRF520NPBF zzgl. MwSt. 2588 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 3 | TO-220 | 48 W | Durchführungsloch | - | 100 V | 4 V | 330 pF | 5.7 A | 200 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQA36P15 MOSFET 1 P-Kanal 294 W TO-3P-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1264087 EAN:2050002647817 Teile-Nr.:FQA36P15 -58% € 4,99 € 2,08 zzgl. MwSt. 141 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-3P-3 | 294 W | Durchführungsloch | - | 150 V | 4 V | 3320 pF | 18 A | 90 mΩ | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFBC40PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162568 EAN:2050000042263 Teile-Nr.:IRFBC40PBF zzgl. MwSt. 181 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 125 W | Durchführungsloch | - | 600 V | 4 V | 1300 pF | 3.7 A | 1.2 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPP60R190C6 MOSFET 1 N-Kanal 151 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026330 EAN:2050009792732 Teile-Nr.:IPP60R190C6XKSA1 zzgl. MwSt. Lieferung Fr., 20. Nov. | TO-220 | 151 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.19 Ω | N-Kanal | - | |||
 Littelfuse IXFH36N60X3 MOSFET Power MOSFET 446 W TO-247 TubeConrad Electronic Bestell-Nr.:2966425 EAN:2050009487935 Teile-Nr.:IXFH36N60X3 zzgl. MwSt. Bald verfügbar Min: 30Vielfache: 30 | TO-247 | 446 W | Durchsteckmontage | - | 600 V | - | 2030 pF | - | - | Power MOSFET | Tube | |||
Vishay SI4100DY-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 6 W SOIC-8 Tape on Full reelConrad Electronic Bestell-Nr.:3026533 EAN:2050009794996 Teile-Nr.:SI4100DY-T1-GE3 zzgl. MwSt. Lieferung Di., 16. März 2027 Min: 50Vielfache: 50 | SOIC-8 | 6 W | Oberflächenmontage | - | - | - | - | - | 0.084 Ω | N-Kanal | Tape on Full reel | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP120NF10 MOSFET 1 N-Kanal 312 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026592 EAN:2050009794361 Teile-Nr.:STP120NF10 -36% zzgl. MwSt. 90 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | 312 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.0105 Ω | N-Kanal | - | |||
Vishay IRF520PBF MOSFET 1 N-Kanal 60 W TO-220AB TubeConrad Electronic Bestell-Nr.:3026463 EAN:2050009789299 Teile-Nr.:IRF520PBF zzgl. MwSt. 905 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 25Vielfache: 25 | TO-220AB | 60 W | Durchführungsloch | RoHS | 100 V | 20 V | 360 pF | 9.2 A | 0.27 Ω | N-Kanal | Tube | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPP20N60C3 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026318 EAN:2050009792619 Teile-Nr.:SPP20N60C3XKSA1 zzgl. MwSt. 538 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 208 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.19 Ω | N-Kanal | - | |||
Bestell-Nr.:3026302 EAN:2050009792459 Teile-Nr.:IRLR024NTRPBF -9% zzgl. MwSt. 334 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 3 | TO-252AA | 45 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.11 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STW20NK50Z MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026627 EAN:2050009795719 Teile-Nr.:STW20NK50Z -18% zzgl. MwSt. 52 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 5Vielfache: 5 | TO-247 | 190 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.27 Ω | N-Kanal | - | |||
Bestell-Nr.:3028164 EAN:2050009808914 Teile-Nr.:BSS138LT1G zzgl. MwSt. Lieferung Mi., 7. Apr. 2027 Min: 100Vielfache: 100 | SOT-23 | - | - | - | 50 V | - | - | - | - | N-Kanal | Tape on Full reel | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPW20N60S5 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:153985 EAN:2050000025181 Teile-Nr.:SPW20N60S5 -30% zzgl. MwSt. 245 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247 | 208 W | Durchführungsloch | - | 600 V | 5.5 V | 3000 pF | 13 A | 190 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162412 EAN:2050000041037 Teile-Nr.:IRF540NPBF zzgl. MwSt. 615 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 130 W | Durchführungsloch | - | 100 V | 4 V | 1960 pF | 16 A | 44 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF540PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:597113 EAN:2050003222051 Teile-Nr.:IRF540PBF zzgl. MwSt. 225 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 2 | TO-220AB | 150 W | Durchführungsloch | - | 100 V | 4 V | 1700 pF | 17 A | 77 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP264PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247ACConrad Electronic Bestell-Nr.:162645 EAN:2050000042928 Teile-Nr.:IRFP264PBF zzgl. MwSt. 18 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247AC | 280 W | Durchführungsloch | - | 250 V | 4 V | 5400 pF | 23 A | 75 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460APBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:162660 EAN:2050000043062 Teile-Nr.:IRFP460APBF -6% zzgl. MwSt. 75 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247 | 280 W | Durchführungsloch | - | 500 V | 4 V | 3100 pF | 12 A | 270 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFI840GPBF MOSFET 1 N-Kanal 40 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162611 EAN:2050000042645 Teile-Nr.:IRFI840GPBF -35% zzgl. MwSt. 2 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 40 W | Durchführungsloch | - | 500 V | 4 V | 1300 pF | 2.8 A | 850 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:162637 EAN:2050000042850 Teile-Nr.:IRFP064NPBF zzgl. MwSt. 92 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247 | 200 W | Durchführungsloch | - | 55 V | 4 V | 4000 pF | 59 A | 8 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFBG30PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162578 EAN:2050000042362 Teile-Nr.:IRFBG30PBF zzgl. MwSt. 124 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 125 W | Durchführungsloch | - | 1000 V | 4 V | 980 pF | 1.9 A | 5 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFB9N60APBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162562 EAN:2050000042201 Teile-Nr.:IRFB9N60APBF -24% zzgl. MwSt. 85 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 170 W | Durchführungsloch | - | 600 V | 4 V | 1400 pF | 5.5 A | 750 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF830PBF MOSFET 1 N-Kanal 74 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:162522 EAN:2050000041846 Teile-Nr.:IRF830PBF zzgl. MwSt. 92 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220AB | 74 W | Durchführungsloch | - | 500 V | 4 V | 610 pF | 2.7 A | 1.5 Ω | N-Kanal | - | |||
 Littelfuse IXTA12N65X2 MOSFET Single 180 W TO-263 TubeConrad Electronic Bestell-Nr.:2966955 EAN:2050009494100 Teile-Nr.:IXTA12N65X2 zzgl. MwSt. Lieferung Mi., 24. März 2027 Min: 50Vielfache: 50 | TO-263 | 180 W | - | - | 650 V | - | 1100 pF | - | - | Single | Tube | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP40NF10L MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026606 EAN:2050009795504 Teile-Nr.:STP40NF10L zzgl. MwSt. 390 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | 150 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.033 Ω | N-Kanal | - | |||
Infineon Technologies BSP129 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W SOT-223Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026206 EAN:2050009791490 Teile-Nr.:BSP129H6327XTSA1 zzgl. MwSt. 5 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 5 | SOT-223 | 1.8 W | Oberflächenmontage | - | - | - | - | - | 20 Ω | N-Kanal | - | |||
Bestell-Nr.:3026281 EAN:2050009792244 Teile-Nr.:IRFR6215TRPBF zzgl. MwSt. 11150 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 50Vielfache: 50 | TO-252AA | 110 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.58 Ω | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Diotec 2N7002W MOSFET 0.2 W SOT-323Conrad Electronic Bestell-Nr.:2809005 EAN:2050008897032 Teile-Nr.:2N7002W zzgl. MwSt. Lieferung Mi., 30. Dez. Min: 3000Vielfache: 3000 | SOT-323 | 0.2 W | Oberflächenmontage | RoHS | 60 V | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFPC50 MOSFET 1 N-Kanal 180 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:162665 EAN:2050000043116 Teile-Nr.:IRFPC50 zzgl. MwSt. 1 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247 | 180 W | Durchführungsloch | - | 600 V | 4 V | 2700 pF | 6 A | 600 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9640PBF MOSFET 1 P-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162542 EAN:2050000042027 Teile-Nr.:IRF9640PBF zzgl. MwSt. 372 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-220 | 125 W | Durchführungsloch | - | 200 V | 4 V | 1200 pF | 6.6 A | 500 mΩ | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 1.6 W SOT-23-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:597293 EAN:2050003223591 Teile-Nr.:SI2301CDS-T1-GE3 zzgl. MwSt. 134 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10 | SOT-23-3 | 1.6 W | Oberflächenmontage | - | 20 V | 1 V | 405 pF | 2.8 A | 112 mΩ | P-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF830PBF MOSFETConrad Electronic Bestell-Nr.:597135 EAN:2050003222259 Teile-Nr.:IRF830PBF -48% zzgl. MwSt. 181 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247ACConrad Electronic Bestell-Nr.:161038 EAN:2050001541246 Teile-Nr.:IRFP4468PBF zzgl. MwSt. 13 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | TO-247AC | 520 W | Durchführungsloch | - | 100 V | 4 V | 19860 pF | 180 A | 2.6 mΩ | N-Kanal | - | |||
 Littelfuse IXFY8N65X2 MOSFET Single 150 W TO-252 TubeConrad Electronic Bestell-Nr.:2966903 EAN:2050009493585 Teile-Nr.:IXFY8N65X2 zzgl. MwSt. Bald verfügbar Min: 70Vielfache: 70 | TO-252 | 150 W | - | - | 650 V | - | 790 pF | - | - | Single | Tube | |||
 Abb. ähnlich DIODES Incorporated ZXMS6004FFTA MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic Bestell-Nr.:3409527 EAN:2050012214108 Teile-Nr.:ZXMS6004FFTA -46% € 0,63 € 0,34107 zzgl. MwSt. 3000 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies BSS138NH6327XTSA2 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic Bestell-Nr.:3409485 EAN:2050012213682 Teile-Nr.:BSS138NH6327XTSA2 zzgl. MwSt. Bald verfügbar | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP5NK80Z MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026557 EAN:2050009794019 Teile-Nr.:STP5NK80Z zzgl. MwSt. 850 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | 110 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 2.4 Ω | N-Kanal | - | |||
Bestell-Nr.:3026381 EAN:2050009793241 Teile-Nr.:IRFR1010ZTRPBF zzgl. MwSt. 1000 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 50Vielfache: 50 | TO-252AA | 140 W | Durchführungsloch | - | - | - | - | - | 0.0075 Ω | N-Kanal | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7430PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:564035 EAN:2050003203241 Teile-Nr.:IRFB7430PBF -28% € 3,16 € 2,26 zzgl. MwSt. 140 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10 | TO-220 | 375 W | Durchführungsloch | - | 40 V | 3.9 V | 14240 pF | 100 A | 1.3 mΩ | N-Kanal | - | |||
Ratgeber
Mit MOSFET wird eine Gruppe von steuerbaren Halbleitern benannt. Die Bezeichnung ist eine Abkürzung für „Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“, auf Englisch „metal-oxide-semiconductor field-effect transistor“ und geht auf die anfangs verwendete Schichtfolge des Steuerungsanschlusses zurück: Lange wurde Aluminium dafür verwendet. Dieser Anschluss wurde dann durch eine nichtleitende Siliziumdioxidschicht vom eigentlichen Halbleiter getrennt.
Mit MOSFET wird eine Gruppe von steuerbaren Halbleitern benannt. Die Bezeichnung ist eine Abkürzung für „Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“, auf Englisch „metal-oxide-semiconductor field-effect transistor“ und geht auf die anfangs verwendete Schichtfolge des Steuerungsanschlusses zurück: Lange wurde Aluminium dafür verwendet. Dieser Anschluss wurde dann durch eine nichtleitende Siliziumdioxidschicht vom eigentlichen Halbleiter getrennt.
Aufgrund der heutigen Verwendung von High-Tech-Halbleitermaterialien ist die ursprüngliche Bezeichnung technisch nicht mehr korrekt, denn es kommt kein Aluminium, das ursprüngliche Gate-Material, mehr zum Einsatz. MOSFET wurde aber als Synonym für den eingeführten Produktnamen beibehalten. Heute wird dotiertes Polysilizium als Gate-Material benutzt.
Der MOSFET ist ein aktives Bauelement mit mindestens drei Anschlüssen:
- S für Source (Quelle)
- D für Drain (Abfluss)
- G für Gate (Steueranschluss)
Einige Bauarten haben noch einen B-Anschluss (bulk für Substrat), mit dem zusätzliche Steuereigenschaften realisierbar sind.
Der Ausgangszustand (ohne Spannung am Gate) kann „normal leitend“ oder „normal sperrend“ sein (beziehungsweise umgekehrt). Das entsteht aufgrund der chemischen „Komposition“ der eingesetzten Materialien als Verarmungstyp (= normal leitende) oder als Anreicherungstyp (= normal sperrend). Durch das Anlegen einer Steuerspannung am Gate verlässt der MOSFET seinen ursprünglichen Zustand. Somit ist der MOSFET letztendlich ein mit Spannung steuerbarer Widerstand. Die Variante „normal sperrend“ wird in der Praxis am häufigsten eingesetzt. Erreicht wird das elektrische Verhalten eines MOSFET durch Vorgänge in den beteiligten Kristallen, bei denen wandernde Ladungsträger letztlich für den erwünschten Effekt sorgen.
Mit bestimmten elektrischen Umgebungsbedingungen wird eine Kennlinie des Verhaltens des MOSFET erzeugt. Diese sagt vereinfacht aus, bei welchen Bedingungen zwischen Source und Gate welche Spannung „durchgelassen“ wird. Dabei entstehen auch kapazitive Werte, die Einfluss auf das Verhalten eines MOSFET haben, wenn er als Schalter eingesetzt wird. Sie ermöglichen sehr schnelles Schalten und sind daher für hohe Frequenzen geeignet, zum Beispiel in Schaltnetzteilen.
Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT, auf Deutsch „Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode“) ist eine Weiterentwicklung des MOSFET zum Einsatz in der Leistungselektronik. Das Leistungsvermögen dieser Bauelemente reicht bis in den Bereich von mehreren Kilovolt, der Strombereich übersteigt einige Kilo-Ampere. Eingesetzt werden diese Bauelemente als Leistungs-Halbleiterschalter zum Beispiel in Motorantrieben, Zugkraftsteuerungen, Schaltnetzteilen oder in Systemen zur unterbrechungsfreien Stromversorgung (USV).
Gehäuse
Hier hat sich eine große Vielfalt an Bauformen etabliert. Es werden MOSFETs mit Lötanschlüssen und als SMD-Gehäuse angeboten. Fast allen ist ein Anschluss für Kühlkörper oder -flächen gemeinsam.
Hersteller
Die Hersteller-Abkürzung ist eine Kennung für den Hersteller, die zumeist aus drei Buchstaben besteht.
Montageart
Erhältlich sind Varianten mit Durchführungsloch, Oberflächenmontage (SMT) oder Gehäuse. Letztere Bauelemente sind mit Schraubanschlüssen für die elektrische Verbindung und Montage ausgestattet. Beachten Sie, dass unter Umständen die Länge der Anschluss-Schrauben von der jeweiligen Applikation abhängig ist. Die Schrauben in passender Länge mit Federring und Scheibe bestellen Sie bitte separat mit.
Maximale Betriebstemperatur
Die MOSFETs in unserem Sortiment arbeiten im maximalen Temperaturbereich von 125 bis 225 Grad Celsius.
Ptot
Dieser Wert definiert die maximale Leistung, die im MOSFET in Wärme umgewandelt werden darf, ohne den Halbleiter zu zerstören – von 0,225 Milliwatt bis 2.500 Watt.
Ausführung
In diesem Menüpunkt kann zwischen unterschiedlicher Leitfähigkeit selektiert werden. Es gibt auch MOSFETs, die in einem Gehäuse verschiedene Leitfähigkeits-Richtungen anbieten.
U(DSS)
Drain Source Voltage: Maximale Spannungsfestigkeit des Bauteiles zwischen Drain und Source.
R(DS)(on)
Drain-Source ON Resistance: Widerstand des eingeschalteten FETs.
U(GS)(th) max.
Gate-Source Threshold Voltage: Gatespannung, ab welcher der Transistor minimal leitend wird.
C(ISS)
Small Signal Input Capacitance – die Gatekapazität: Die Gate-Elektrode eines MOSFET bildet eine Eingangskapazität.
In den Datenblättern der einzelnen Produkte stehen ausführliche Informationen der Hersteller zu allen Details der MOSFETs zur Verfügung.
Der erste Schritt bei der Auswahl des geeigneten Bausteins für ein Schaltungs-Design besteht darin, zu bestimmen, ob ein N-Kanal- oder ein P-Kanal-MOSFET verwendet werden soll. Das richtet sich nach der Aufgabe, die die Schaltung erfüllen soll.
Zudem muss die größtmögliche Spannung bestimmt werden, die zwischen Drain und Source auftreten kann. Beachten Sie, dass dieser Wert mit der Temperatur variiert – ziehen Sie den gesamten für den Betrieb zugelassenen Temperaturbereich in Betracht. Die Nennspannung des MOSFET muss für diese Schwankungen einen ausreichend großen Toleranzbereich aufweisen, um einen Ausfall zu verhindern. Weitere Aspekte sind rückwirkende Schwingungen von Motoren oder Transformatoren.
Beachten Sie die allgemeinen Vorschriften für den Umgang mit bestimmten Spannungshöhen, um Verletzungen durch Stromschlag zu verhindern. Wartungsarbeiten an Netzspannung dürfen nur durch qualifizierte Fachkräfte erfolgen. Trennen Sie vor dem Beginn der Arbeiten die Stromversorgung inklusive Sicherung gegen versehentliches Wiedereinschalten. Im Betriebszustand – gerade unter Entwicklungs- oder Laborbedingungen – ist ein Schutz gegen versehentliches Berühren sicherzustellen.
Jede Person kann sich durch Bewegung auf mehrere 1.000 Volt elektrostatisch aufladen. Oft reichen wenige Volt Spannung aus, um aktive elektrische Bauteile zu zerstören. Das kann schon bei Annäherung passieren. Es empfiehlt sich, beim Arbeiten mit hochempfindlichen Messgeräten oder elektrischen Bauteilen aller Art auf eine sichere Erdung zu achten.
Unser Praxistipp
Beim Austauschen von verlöteten MOSFETs halten Sie die Lötzeiten kurz, um thermische Zerstörungen zu vermeiden. Nutzen Sie geeignete Löttechnik, vor allem das passende Lötzubehör beim Entlöten, um Leiterplatten vor Ablösung von Leiterbahnen zu bewahren.
Halten Sie die Drehmomentangaben beim Anschrauben von Kühlelementen ein.
MOSFETs sind empfindlich gegen statisch aufgeladene Personen und Gegenstände. Schließen Sie die Elektroden bis zum erfolgten Einbau elektrisch leitend kurz – es reicht das Aufbewahren in Leitschaumstoff oder ESD-Abschirmbeuteln aus.