- Produkt-Art
- MOSFET924IGBT2MOSFET/IGBT-Set1Transistor - JFET1
- Marke
- Infineon Technologies351Vishay140Diotec129Taiwan Semiconductor96STMicroelectronics75Littelfuse69ON Semiconductor57DIODES Incorporated12IXYS3MCC3Kemo1Kerkmann1
- VerkäuferConrad Electronic SE
- Preis
- Leistung (max) P(TOT)
- 0.2 W5225 mW20.25 W40.275 W10.31 W10.35 W8350 mW7360 mW70.36 W6400 mW20.4 W10.41 W10.5 W4500 mW10.53 W1540 mW2700 mW1710 mW10.75 W1800 mW1830 mW20.9 W1900 mW10.96 W11 W51.0 W11.1 W11.25 W111.3 W131.4 W51.5 W51.56 W11.6 W21.7 W31.78 W11.8 W101.9 W12.0 W162 W42.1 W52.3 W12.4 W12.5 W192.8 W13 W23.1 W63.75 W13.8 W54 W34.2 W25 W85.7 W26 W36.3 W16.6 W17.8 W18 W210.8 W113 W114 W116 W317 W120 W221 W122 W122.7 W224 W125 W2128 W329 W129.7 W230 W231 W532 W134 W335 W435.7 W236 W238 W239 W240 W941 W141.67 W141.7 W142 W1143 W544 W145 W1546 W348 W648.3 W250 W551 W152 W354 W560 W562 W262.5 W263 W166 W368 W869 W270 W471 W374 W675 W678 W179 W580 W482 W283 W585 W186 W188 W290 W691 W192 W194 W295 W298 W199 W3100 W3101 W1107 W1110 W28115 W2120 W4125 W24128 W1130 W9131 W1135 W2140 W16143 W2144 W5150 W18151 W4156 W1160 W10170 W9176 W3178 W1180 W7190 W11192 W1200 W18208 W4214 W1220 W1227 W1230 W20231 W1235 W1245 W1250 W4277 W1278 W3280 W7290 W1294 W4298 W1300 W15310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W3357 W1360 W7370 W8375 W18380 W6390 W5391 W1400 W5425 W1446 W3460 W1470 W1480 W4481 W2517 W1520 W4580 W1595 W2625 W2780 W2800 W1940 W2960 W21040 W11170 W11250 W11500 W1
- R(DS)(on) Referenz-Strom
- -10 A9-20 A7-3 A3-4 A3-1 A2-15 A1-2 A1-30 A10 A30.1 mA10.0416666666666667 A90.1 A1120 mA10.125 A20.166666666666667 A2170 mA2190 mA1200 mA3220 mA20.291666666666667 A1330 mA10.333333333333333 A1400 mA10.416666666666667 A5500 mA5660 mA1900 mA1910 mA1930 mA11.2 A21.25 A11.4 A11.5 A31.6 A11.9 A22 A12.2 A22.3 A12.4 A12.5 A32.6 A12.7 A22.75 A12.8 A22.9 A23 A13.1 A23.3 A13.4 A23.5 A13.6 A33.7 A24 A24.1 A24.2 A14.3 A24.5 A24.8 A35 A15.2 A15.4 A25.5 A35.7 A15.8 A16 A26.3 A16.6 A37.2 A38 A18.4 A58.5 A18.6 A19 A29.2 A19.6 A110 A611 A712 A513 A313.5 A114 A115 A516 A717 A318 A320 A921 A122 A323 A523.5 A124 A425 A425.5 A126 A128 A430 A1031 A232 A133 A335 A438 A240 A741 A142 A144 A245 A246 A347 A149 A150 A552 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A265 A166 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -40 V14-60 V10-30 V8-20 V4-100 V3-50 V2-200 V112 V120 V1224 V125 V330 V3840 V2345 V250 V755 V2960 V7065 V975 V1280 V385 V190 V1100 V54150 V29200 V27250 V8300 V3400 V9500 V26600 V27650 V7800 V3900 V21000 V5
- Gehäuse
- Nur ISO-zertifizierte Verkäufer
- Montageart
- Ausführung
- R(DS)(on)
- U(GS)(th) max.
- Verpackungsart
- C(ISS)
- Zertifizierungen
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Mosfets
937 ErgebnisseDetails | Preis | Verfügbarkeit | Gehäuse | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) Referenz-Strom | R(DS)(on) | Leistung (max) P(TOT) | Montageart | U(DSS) | Ausführung | Verpackungsart | Zertifizierungen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 3065 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 15 | TO-92 | 3 V | 60 pF | 200 mA | 5 Ω | 350 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 4426 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 3 | TO-220 | 2 V | 1700 pF | 25 A | 22 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFBC40PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 181 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 3.7 A | 1.2 Ω | 125 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220Conrad Electronic -13% zzgl. MwSt. 95 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 760 pF | 8.4 A | 200 mΩ | 79 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 17 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-247AC | 4 V | 19860 pF | 180 A | 2.6 mΩ | 520 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML0100TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic -26% € 0,16 € 0,11819 zzgl. MwSt. 2027 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10 | SOT-23 | 2.5 V | 290 pF | 1.6 A | 220 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 641 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 4 V | 1960 pF | 16 A | 44 mΩ | 130 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1727 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 20 | SOT-23 | 1.2 V | 633 pF | 3.7 A | 65 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies BSS308PEH6327XTSA1 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 444 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP26NM60N MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 24 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.165 Ω | 140 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF2807PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 39 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10 | TO-220AB | - | - | - | 0.013 Ω | 230 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic -15% zzgl. MwSt. 80 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220AB | 4 V | 8970 pF | 170 A | 2.5 mΩ | 375 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPP60R190C6 MOSFET 1 N-Kanal 151 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. Lieferung Mo., 28. Dez. | TO-220 | - | - | - | 0.19 Ω | 151 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Diotec 2N7000 MOSFET 0.35 W TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1843 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 100 | TO-92 | - | - | - | - | 0.35 W | Durchsteckmontage | 60 V | - | - | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPP20N60C3 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 598 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.19 Ω | 208 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies BSP129 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W SOT-223Conrad Electronic € 0,58 zzgl. MwSt. 5 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 5 | SOT-223 | - | - | - | 20 Ω | 1.8 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML9301TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic -8% € 0,11 € 0,10173 zzgl. MwSt. 137 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 15 | SOT-23 | 2.4 V | 388 pF | 3.6 A | 64 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 130 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-247 | 4 V | 4000 pF | 59 A | 8 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAKConrad Electronic -43% € 1,91 € 1,08 zzgl. MwSt. 568 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | D2PAK | 4 V | 3130 pF | 28 A | 23 mΩ | 200 W | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6246TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1918 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 20 | SOT-23 | 1.1 V | 290 pF | 4.1 A | 46 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 354 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 4 V | 3400 pF | 38 A | 20 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF840PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic -13% zzgl. MwSt. 180 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 4.8 A | 850 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 257 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220AB | 4 V | 3247 pF | 62 A | 8 mΩ | 200 W | Oberflächenmontage | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 23 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220AB | 4 V | 1200 pF | 16 A | 60 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF510PBF MOSFET 1 N-Kanal 43 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 147 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 4 V | 180 pF | 3.4 A | 540 mΩ | 43 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7537PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 230 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220AB | 3.7 V | 7020 pF | 100 A | 3.3 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF840APBFConrad Electronic -84% € 3,33 € 0,53 zzgl. MwSt. 45 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000 MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 7596 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 7 | TO-92 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF530NSPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 70 W D2PAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 3520 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.09 Ω | 70 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 418 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 3210 pF | 50 A | 12 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ24NPBF MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 236 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 370 pF | 10 A | 70 mΩ | 45 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFU9024NPBF MOSFET 1 P-Kanal 38 W I-PAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 33 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 3 | I-PAK | 4 V | 350 pF | 6.6 A | 175 mΩ | 38 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1323 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 3 | TO-220 | 2 V | 880 pF | 16 A | 35 mΩ | 68 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460PBFConrad Electronic zzgl. MwSt. 275 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL3705NPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 310 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 2 V | 3600 pF | 46 A | 10 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 16 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 4 V | 1160 pF | 11 A | 150 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF830PBF MOSFET 1 N-Kanal 74 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 104 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220AB | 4 V | 610 pF | 2.7 A | 1.5 Ω | 74 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 465 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 2 V | 1800 pF | 18 A | 44 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ44NPBF MOSFET 1 N-Kanal 94 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 897 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1470 pF | 25 A | 17.5 mΩ | 94 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP9140NPBF MOSFET 1 P-Kanal 140 W TO-247Conrad Electronic -22% zzgl. MwSt. 250 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-247 | 4 V | 1300 pF | 13 A | 117 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP450APBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-247Conrad Electronic -18% zzgl. MwSt. 48 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-247 | 4 V | 2038 pF | 8.4 A | 400 mΩ | 190 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6244TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 692 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 700 pF | 6.3 A | 21 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFPC50 MOSFET 1 N-Kanal 180 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-247 | 4 V | 2700 pF | 6 A | 600 mΩ | 180 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9640PBF MOSFET 1 P-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 393 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 4 V | 1200 pF | 6.6 A | 500 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 200 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6401TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1066 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 15 | SOT-23 | 0.95 V | 830 pF | 4.3 A | 50 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 12 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4227PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 78 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220AB | 5 V | 4600 pF | 46 A | 24 mΩ | 330 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 439 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10 | SOT-23-3 | 2.5 V | 50 pF | 500 mA | 2 Ω | 350 mW | Oberflächenmontage | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLR8743PBF MOSFET 1 N-Kanal 135 W DPAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 3041 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 2 | DPAK | 2.35 V | 4880 pF | 25 A | 3.1 mΩ | 135 W | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-263-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 610 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-263-3 | 4 V | 1200 pF | 16 A | 60 mΩ | 3.8 W | Oberflächenmontage | 55 V | P-Kanal | - | RoHS | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQP17P06 MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 6 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220-3 | 4 V | 900 pF | 8.5 A | 120 mΩ | 79 W | Durchführungsloch | 60 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML2244TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 3439 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 15 | SOT-23 | 1.1 V | 570 pF | 4.3 A | 54 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | P-Kanal | - | - | |||
![Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set](https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/de/1484608_GB_00_FB/kemo-power-mosfet-igbt-transistoren-s106-mosfet-igbt-set.jpg?x=600) Abb. ähnlich Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-SetConrad Electronic zzgl. MwSt. 83 Sets auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STE53NC50 MOSFET 1 N-Kanal 460 W SOT-227BConrad Electronic zzgl. MwSt. 9 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | SOT-227B | - | - | - | 0.08 Ω | 460 W | Chassis | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9620PBF MOSFET 1 P-Kanal 40 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 43 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 350 pF | 1.5 A | 1.5 Ω | 40 W | Durchführungsloch | 200 V | P-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF3205SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 7 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | D2PAK | - | - | - | 0.008 Ω | 200 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. Bald verfügbar Min: 50Vielfache: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.14 Ω | 1.78 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal, P-Kanal | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF530NPBF MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220AB TubeConrad Electronic zzgl. MwSt. 71 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 3 | TO-220AB | 20 V | 920 pF | 17 A | 0.09 Ω | 70 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8Conrad Electronic zzgl. MwSt. 43 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 5 | SO-8 | - | - | - | 0.2 Ω | 2.0 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF7205PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 2.5 W SO-8Conrad Electronic zzgl. MwSt. 37 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 3 | SO-8 | - | - | - | 0.07 Ω | 2.5 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP264PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 28 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-247AC | 4 V | 5400 pF | 23 A | 75 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 250 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 N-Kanal 214 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 161 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-247 | 4 V | 2159 pF | 18 A | 75 mΩ | 214 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460APBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 81 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-247 | 4 V | 3100 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFI840GPBF MOSFET 1 N-Kanal 40 W TO-220Conrad Electronic -35% zzgl. MwSt. 2 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 2.8 A | 850 mΩ | 40 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP3206PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 342 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-247AC | 4 V | 6540 pF | 75 A | 3 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 1.7 W SOT-23-3Conrad Electronic -27% zzgl. MwSt. 2846 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | SOT-23-3 | 3 V | 210 pF | 1.25 A | 345 mΩ | 1.7 W | Oberflächenmontage | 60 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFZ44PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic -22% zzgl. MwSt. 41 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 31 A | 28 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 35 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220AB | 4 V | 2900 pF | 35 A | 18 mΩ | 160 W | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3306PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic -18% zzgl. MwSt. 70 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220AB | 4 V | 4520 pF | 75 A | 4.2 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRLML5203PBF MOSFET 1 P-Kanal 1.25 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 55 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10 | SOT-23 | - | - | - | 0.165 Ω | 1.25 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPW20N60S5 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 252 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-247 | 5.5 V | 3000 pF | 13 A | 190 mΩ | 208 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 109 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220AB | 4 V | 9620 pF | 75 A | 4.5 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
Vishay IRF9610PBF MOSFET 1 P-Kanal 20 W TO-220AB TubeConrad Electronic zzgl. MwSt. 150 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 25Vielfache: 25 | TO-220AB | - | - | - | 3 Ω | 20 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | Tube | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3808PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 1160 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220AB | - | - | - | 0.007 Ω | 330 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP55NF06 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220 TubeConrad Electronic zzgl. MwSt. 220 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | 3 V | 1300 pF | 50 A | 0.018 Ω | 110 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
zzgl. MwSt. 6 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.205 Ω | 66 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF7416PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 2.5 W SO-8Conrad Electronic zzgl. MwSt. 17 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | SO-8 | - | - | - | 0.02 Ω | 2.5 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich IXYS IXFQ60N50P3 MOSFET 1 N-Kanal 1040 W TO-3PConrad Electronic zzgl. MwSt. 42 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-3P | 5 V | 6250 pF | 30 A | 100 mΩ | 1040 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML2246TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 105 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 15 | SOT-23 | 1.1 V | 220 pF | 2.6 A | 135 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220ABConrad Electronic -29% zzgl. MwSt. 181 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220AB | 4 V | 5669 pF | 121 A | 4 mΩ | 333 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1405PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 559 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 4 V | 5480 pF | 101 A | 5.3 mΩ | 330 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQA36P15 MOSFET 1 P-Kanal 294 W TO-3P-3Conrad Electronic -8% zzgl. MwSt. 322 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-3P-3 | 4 V | 3320 pF | 18 A | 90 mΩ | 294 W | Durchführungsloch | 150 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF740PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 4 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220 | 4 V | 1400 pF | 6 A | 550 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 400 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 835 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 5 | TO-220 | 4 V | 620 pF | 10 A | 100 mΩ | 3.8 W | Oberflächenmontage | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML2803TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 540 mW SOT-23Conrad Electronic -11% zzgl. MwSt. 295 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 15 | SOT-23 | 1 V | 85 pF | 910 mA | 250 mΩ | 540 mW | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP22N50APBF MOSFET 1 N-Kanal 277 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 485 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 5Vielfache: 5 | TO-247AC | 4 V | 3450 pF | 13 A | 230 mΩ | 277 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 12152 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 30 | SOT-23-3 | 2 V | 73 pF | 170 mA | 6 Ω | 360 mW | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 2400 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 50Vielfache: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.035 Ω | 5 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | Tape on Full reel | - | |||
 Littelfuse IXTA160N075T7 MOSFET Single 360 W TO-263-7 TubeConrad Electronic zzgl. MwSt. Bald verfügbar Min: 50Vielfache: 50 | TO-263-7 | - | 4950 pF | - | - | 360 W | - | 75 V | Single | Tube | - | |||
Infineon Technologies IR2184SPBF IGBT 2 SOIC-8Conrad Electronic zzgl. MwSt. 9 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 5 | SOIC-8 | - | - | - | - | - | Oberflächenmontage | - | - | - | - | |||
zzgl. MwSt. 4 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Mi., 9. Sep. | TO-220-FULLPAK | - | - | - | 0.65 Ω | 40 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
Ratgeber
Mit MOSFET wird eine Gruppe von steuerbaren Halbleitern benannt. Die Bezeichnung ist eine Abkürzung für „Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“, auf Englisch „metal-oxide-semiconductor field-effect transistor“ und geht auf die anfangs verwendete Schichtfolge des Steuerungsanschlusses zurück: Lange wurde Aluminium dafür verwendet. Dieser Anschluss wurde dann durch eine nichtleitende Siliziumdioxidschicht vom eigentlichen Halbleiter getrennt.
Mit MOSFET wird eine Gruppe von steuerbaren Halbleitern benannt. Die Bezeichnung ist eine Abkürzung für „Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“, auf Englisch „metal-oxide-semiconductor field-effect transistor“ und geht auf die anfangs verwendete Schichtfolge des Steuerungsanschlusses zurück: Lange wurde Aluminium dafür verwendet. Dieser Anschluss wurde dann durch eine nichtleitende Siliziumdioxidschicht vom eigentlichen Halbleiter getrennt.
Aufgrund der heutigen Verwendung von High-Tech-Halbleitermaterialien ist die ursprüngliche Bezeichnung technisch nicht mehr korrekt, denn es kommt kein Aluminium, das ursprüngliche Gate-Material, mehr zum Einsatz. MOSFET wurde aber als Synonym für den eingeführten Produktnamen beibehalten. Heute wird dotiertes Polysilizium als Gate-Material benutzt.
Der MOSFET ist ein aktives Bauelement mit mindestens drei Anschlüssen:
- S für Source (Quelle)
- D für Drain (Abfluss)
- G für Gate (Steueranschluss)
Einige Bauarten haben noch einen B-Anschluss (bulk für Substrat), mit dem zusätzliche Steuereigenschaften realisierbar sind.
Der Ausgangszustand (ohne Spannung am Gate) kann „normal leitend“ oder „normal sperrend“ sein (beziehungsweise umgekehrt). Das entsteht aufgrund der chemischen „Komposition“ der eingesetzten Materialien als Verarmungstyp (= normal leitende) oder als Anreicherungstyp (= normal sperrend). Durch das Anlegen einer Steuerspannung am Gate verlässt der MOSFET seinen ursprünglichen Zustand. Somit ist der MOSFET letztendlich ein mit Spannung steuerbarer Widerstand. Die Variante „normal sperrend“ wird in der Praxis am häufigsten eingesetzt. Erreicht wird das elektrische Verhalten eines MOSFET durch Vorgänge in den beteiligten Kristallen, bei denen wandernde Ladungsträger letztlich für den erwünschten Effekt sorgen.
Mit bestimmten elektrischen Umgebungsbedingungen wird eine Kennlinie des Verhaltens des MOSFET erzeugt. Diese sagt vereinfacht aus, bei welchen Bedingungen zwischen Source und Gate welche Spannung „durchgelassen“ wird. Dabei entstehen auch kapazitive Werte, die Einfluss auf das Verhalten eines MOSFET haben, wenn er als Schalter eingesetzt wird. Sie ermöglichen sehr schnelles Schalten und sind daher für hohe Frequenzen geeignet, zum Beispiel in Schaltnetzteilen.
Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT, auf Deutsch „Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode“) ist eine Weiterentwicklung des MOSFET zum Einsatz in der Leistungselektronik. Das Leistungsvermögen dieser Bauelemente reicht bis in den Bereich von mehreren Kilovolt, der Strombereich übersteigt einige Kilo-Ampere. Eingesetzt werden diese Bauelemente als Leistungs-Halbleiterschalter zum Beispiel in Motorantrieben, Zugkraftsteuerungen, Schaltnetzteilen oder in Systemen zur unterbrechungsfreien Stromversorgung (USV).
Gehäuse
Hier hat sich eine große Vielfalt an Bauformen etabliert. Es werden MOSFETs mit Lötanschlüssen und als SMD-Gehäuse angeboten. Fast allen ist ein Anschluss für Kühlkörper oder -flächen gemeinsam.
Hersteller
Die Hersteller-Abkürzung ist eine Kennung für den Hersteller, die zumeist aus drei Buchstaben besteht.
Montageart
Erhältlich sind Varianten mit Durchführungsloch, Oberflächenmontage (SMT) oder Gehäuse. Letztere Bauelemente sind mit Schraubanschlüssen für die elektrische Verbindung und Montage ausgestattet. Beachten Sie, dass unter Umständen die Länge der Anschluss-Schrauben von der jeweiligen Applikation abhängig ist. Die Schrauben in passender Länge mit Federring und Scheibe bestellen Sie bitte separat mit.
Maximale Betriebstemperatur
Die MOSFETs in unserem Sortiment arbeiten im maximalen Temperaturbereich von 125 bis 225 Grad Celsius.
Ptot
Dieser Wert definiert die maximale Leistung, die im MOSFET in Wärme umgewandelt werden darf, ohne den Halbleiter zu zerstören – von 0,225 Milliwatt bis 2.500 Watt.
Ausführung
In diesem Menüpunkt kann zwischen unterschiedlicher Leitfähigkeit selektiert werden. Es gibt auch MOSFETs, die in einem Gehäuse verschiedene Leitfähigkeits-Richtungen anbieten.
U(DSS)
Drain Source Voltage: Maximale Spannungsfestigkeit des Bauteiles zwischen Drain und Source.
R(DS)(on)
Drain-Source ON Resistance: Widerstand des eingeschalteten FETs.
U(GS)(th) max.
Gate-Source Threshold Voltage: Gatespannung, ab welcher der Transistor minimal leitend wird.
C(ISS)
Small Signal Input Capacitance – die Gatekapazität: Die Gate-Elektrode eines MOSFET bildet eine Eingangskapazität.
In den Datenblättern der einzelnen Produkte stehen ausführliche Informationen der Hersteller zu allen Details der MOSFETs zur Verfügung.
Der erste Schritt bei der Auswahl des geeigneten Bausteins für ein Schaltungs-Design besteht darin, zu bestimmen, ob ein N-Kanal- oder ein P-Kanal-MOSFET verwendet werden soll. Das richtet sich nach der Aufgabe, die die Schaltung erfüllen soll.
Zudem muss die größtmögliche Spannung bestimmt werden, die zwischen Drain und Source auftreten kann. Beachten Sie, dass dieser Wert mit der Temperatur variiert – ziehen Sie den gesamten für den Betrieb zugelassenen Temperaturbereich in Betracht. Die Nennspannung des MOSFET muss für diese Schwankungen einen ausreichend großen Toleranzbereich aufweisen, um einen Ausfall zu verhindern. Weitere Aspekte sind rückwirkende Schwingungen von Motoren oder Transformatoren.
Beachten Sie die allgemeinen Vorschriften für den Umgang mit bestimmten Spannungshöhen, um Verletzungen durch Stromschlag zu verhindern. Wartungsarbeiten an Netzspannung dürfen nur durch qualifizierte Fachkräfte erfolgen. Trennen Sie vor dem Beginn der Arbeiten die Stromversorgung inklusive Sicherung gegen versehentliches Wiedereinschalten. Im Betriebszustand – gerade unter Entwicklungs- oder Laborbedingungen – ist ein Schutz gegen versehentliches Berühren sicherzustellen.
Jede Person kann sich durch Bewegung auf mehrere 1.000 Volt elektrostatisch aufladen. Oft reichen wenige Volt Spannung aus, um aktive elektrische Bauteile zu zerstören. Das kann schon bei Annäherung passieren. Es empfiehlt sich, beim Arbeiten mit hochempfindlichen Messgeräten oder elektrischen Bauteilen aller Art auf eine sichere Erdung zu achten.
Unser Praxistipp
Beim Austauschen von verlöteten MOSFETs halten Sie die Lötzeiten kurz, um thermische Zerstörungen zu vermeiden. Nutzen Sie geeignete Löttechnik, vor allem das passende Lötzubehör beim Entlöten, um Leiterplatten vor Ablösung von Leiterbahnen zu bewahren.
Halten Sie die Drehmomentangaben beim Anschrauben von Kühlelementen ein.
MOSFETs sind empfindlich gegen statisch aufgeladene Personen und Gegenstände. Schließen Sie die Elektroden bis zum erfolgten Einbau elektrisch leitend kurz – es reicht das Aufbewahren in Leitschaumstoff oder ESD-Abschirmbeuteln aus.