Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP55-16 SOT-223 NPN
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-223
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1000 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
4000
-
€ 0,14981
12000
9% = € 0,01
€ 0,13616
20000
13% = € 0,02
€ 0,13071
40000
15% = € 0,02
€ 0,12707
80000
17% = € 0,03
€ 0,12434
160000
20% = € 0,03
€ 0,11978
400000
23% = € 0,03
€ 0,11525
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen € 0,00
Anzahl
Min.: 4000
Vielfache: 4000
Gesamt (€ 0,14981 / Stück)
€ 599,24
zzgl. gesetzl. MwSt.
Kostenfreier Versand
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-223
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 60 V
- DC Kollektorstrom - IC: 1000 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 2.000 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 100
- VCE: 2 V
- IC: 150 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
- IC: 500 mA
- IB: 50 mA
- Transitfrequenz - ft: 100 MHz
- IC: 50 mA
- VCE: 10 V
- f: 100 MHz
- Typ
BCP55-16
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-223
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
1000 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Leistung (max) P(TOT)
2 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
100
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809312 Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP55-16 SOT-223 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809312 Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP55-16 SOT-223 NPN