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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC848B,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 NPN
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
30 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details
Transistor
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Technische Daten
- Typ
BC848B,215
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Nexperia
- Herst.-Abk.
NEX
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
30 V
- VCE Sättigung (max.)
600 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
15 nA
- Leistung (max) P(TOT)
250 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
200
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
2 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 1112850 Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC848B,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 NPN
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