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Conrad

Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC857B,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 PNP

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-45 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

Transistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

BC857B,215

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23

Hersteller

Nexperia

Herst.-Abk.

NEX

Kanäle

1

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

-100 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

-45 V

VCE Sättigung (max.)

-650 mV

Kollektor Reststrom I(CES)

-15 nA

Leistung (max) P(TOT)

250 mW

Serie

Technique automobile/AEC-Q101

DC Stromverstärkung (hFE)

220

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

-2 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

-5 V

Transitfrequenz f(T)

100 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 1112865 Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC857B,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 PNP

Wird oft zusammen gekauft

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Gesamtpreis:

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