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ON Semiconductor FQA36P15 MOSFET 1 P-Kanal 294 W TO-3P-3
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-3P-3
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
294 W
R(DS)(on)
90 mΩ
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
FQA36P15
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-3P-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
36 A
- U
150 V
- Leistung (max) P(TOT)
294 W
- R(DS)(on)
90 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
18 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
105 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
3320 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
QFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
150 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
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Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1264087 ON Semiconductor FQA36P15 MOSFET 1 P-Kanal 294 W TO-3P-3
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