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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Transistor (BJT) - diskret Infineon Technologies BC847BW SOT-323-3 1 NPN

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153170 - 62
Teile-Nr.: BC847BW |  EAN: 2050000021275
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  • € 0,26
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 28.03 bis 29.03.2017

    NF-Transistor

    Technische Daten

    Typ
    BC847BW
    Gehäuse
    SOT‑323‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Kategorie
    Transistor (BJT) ‑ diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN
    IC
    100 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    45 V
    VCE Sättigung (max.)
    600 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    15 nA
    Ptot
    250 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    200
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    2 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    250 MHz
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Beschreibung

    NPN-Transistor (8 mm-Gurt)
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