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Aktive Bauelemente Halbleiter Transistoren bipolar, IGBTs Transistoren

Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN

EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Zwei schwarze elektronische Komponenten in einem D-Pak-Gehäuse mit silbernen Anschlüssen, nebeneinander platziert.
Abbildung ähnlich
Zwei schwarze elektronische Komponenten in einem D-Pak-Gehäuse mit silbernen Anschlüssen, nebeneinander platziert.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
160 V
Datenblatt (PDF)
English
Diotec
Sofort-Lieferung Mo., 5. Okt.

2375 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Verkauf und Versand:
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Highlights & Details

BJT, DPAK, 160V, 1500mA, NPN

Unser Service für Sie

Technische Daten

  • Typ: SMD
  • Gehäuse: TO-252AA/D-PAK
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 160 V
  • DC Kollektorstrom - IC: 1500 mA
  • Polarität - pol: NPN
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 15.000 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 150
  • VCE: 5 V
  • IC: 100 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 1500 mV
  • IC: 500 mA
  • IB: 50 mA
  • Transitfrequenz - ft: 100 MHz
  • IC: 100 mA
  • VCE: 10 V
  • f: MHz
Typ

2SC2983

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-252AA

Hersteller

Diotec

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1500 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

160 V

VCE Sättigung (max.)

1500 mV

Leistung (max) P(TOT)

15 W

DC Stromverstärkung (hFE)

150

Montageart

Oberflächenmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

UKCA

Ja

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Gehäuse
Collector-Strom I(C)
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
Leistung (max) P(TOT)
Ausführung
Montageart
 
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN

2809008

 
Dieser Artikel
TO-252AA
1500 mA
160 V
15 W
NPN
Oberflächenmontage
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-92 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-92 NPN

2808991

 
TO-92
600 mA
40 V
0.625 W
NPN
Durchsteckmontage
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2907A TO-92 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2907A TO-92 PNP

2808992

 
TO-92
600 mA
60 V
0.625 W
PNP
Durchsteckmontage
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5401 TO-92 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5401 TO-92 PNP

2808997

 
TO-92
600 mA
150 V
0.625 W
PNP
Durchsteckmontage
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5551 TO-92 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5551 TO-92 NPN

2808998

 
TO-92
600 mA
160 V
0.625 W
NPN
Durchsteckmontage
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SA1012R TO-252AA PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SA1012R TO-252AA PNP

2809006

 
TO-252AA
-5000 mA
-50 V
5 W
PNP
Oberflächenmontage
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SAR544R SOT-23 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SAR544R SOT-23 PNP

2809007

 
SOT-23
2500 mA
80 V
1 W
PNP
Oberflächenmontage
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC3851 ITO-220AB NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC3851 ITO-220AB NPN

2809009

 
ITO-220AB
4000 mA
60 V
25 W
NPN
Durchsteckmontage
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SCR544R SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SCR544R SOT-23 NPN

2809010

 
SOT-23
2500 mA
80 V
1 W
NPN
Oberflächenmontage
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC672S SOT-363 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC672S SOT-363 NPN

2809179

 
SOT-363
50 mA
18 V
0.15 W
NPN
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Datenblatt

English

Datenblatt 2809008 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809008 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=2SC2983, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=240, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=160 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=160 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1.5 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=1.5 A, Leistungsverteilung (PV)=-999, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=TO-252AA, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=2SC2983, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=240, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=160 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=160 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1.5 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=1.5 A, Leistungsverteilung (PV)=-999, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=TO-252AA, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle

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