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Conrad

Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC3851 ITO-220AB NPN

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
ITO-220AB
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
4000 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details

BJT, ITO-220AB, 60V, 4000mA, NPN

Unser Service für Sie

Technische Daten

  • Typ: Wire-lead
  • Gehäuse: ITO-220AB
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 60 V
  • DC Kollektorstrom - IC: 4000 mA
  • Polarität - pol: NPN
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 25.000 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 40
  • VCE: 4 V
  • IC: 1 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
  • IC: 2000 mA
  • IB: 200 mA
  • Transitfrequenz - ft: 15 MHz
  • IC: 200 mA
  • VCE: 12 V
  • f: MHz
Typ

2SC3851

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

ITO-220AB

Hersteller

Diotec

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

4000 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

60 V

VCE Sättigung (max.)

500 mV

Leistung (max) P(TOT)

25 W

DC Stromverstärkung (hFE)

40

Montageart

Durchsteckmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

UKCA

Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809009 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC3851 ITO-220AB NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809009 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC3851 ITO-220AB NPN

Zubehör

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