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Aktive Bauelemente Halbleiter Transistoren bipolar, IGBTs Transistoren

Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5551 SOT-23 NPN

EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Zwei schwarze SOT-23-Halbleiterbauteile auf weißem Hintergrund, zeigen die metallischen Anschlussbeine. Geeignet für elektronische Schaltungen.
Abbildung ähnlich
Zwei schwarze SOT-23-Halbleiterbauteile auf weißem Hintergrund, zeigen die metallischen Anschlussbeine. Geeignet für elektronische Schaltungen.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
160 V
Datenblatt (PDF)
English
Diotec
Sofort-Lieferung Mi., 7. Okt.

839 Stück
Verkauf und Versand:
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Highlights & Details

BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN

Unser Service für Sie

Technische Daten

  • Typ: SMD
  • Gehäuse: SOT-23
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 160 V
  • DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
  • Polarität - pol: NPN
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 250
  • VCE: 5 V
  • IC: 10 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 200 mV
  • IC: 50 mA
  • IB: 5 mA
  • Transitfrequenz - ft: 300 MHz
  • IC: 10 mA
  • VCE: 10 V
  • f: 100 MHz
Typ

MMBT5551

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23

Hersteller

Diotec

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

160 V

VCE Sättigung (max.)

200 mV

Leistung (max) P(TOT)

0.25 W

DC Stromverstärkung (hFE)

250

Transitfrequenz f(T)

100 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

UKCA

Ja

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Collector-Strom I(C)
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
Leistung (max) P(TOT)
Ausführung
 
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5551 SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5551 SOT-23 NPN

2810129

 
Dieser Artikel
600 mA
160 V
0.25 W
NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23 NPN

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600 mA
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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A-AQ SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A-AQ SOT-23 NPN

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2907A SOT-23 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2907A SOT-23 PNP

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PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2907A-AQ SOT-23 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2907A-AQ SOT-23 PNP

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600 mA
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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904 SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904 SOT-23 NPN

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200 mA
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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904-AQ SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904-AQ SOT-23 NPN

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3906 SOT-23 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3906 SOT-23 PNP

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200 mA
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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3906-AQ SOT-23 PNP
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3906-AQ SOT-23 PNP

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200 mA
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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT4401 SOT-23 NPN
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT4401 SOT-23 NPN

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40 V
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NPN

Dokumente & Downloads

Datenblatt

English

Datenblatt 2810129 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5551 SOT-23 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2810129 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5551 SOT-23 NPN

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=MMBT5551, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=250, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=180 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=200 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=200 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=300 MHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=MMBT5551, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=250, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=180 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=200 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=200 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=300 MHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101

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