Abbildung ähnlich
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A-AQ SOT-23 NPN
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Anzahl
Min.: 750
Gesamt (€ 0,03464 / Stück)
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Highlights & Details
BJT, SOT-23, 40V, 600mA, NPN
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-23
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 40 V
- DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 375
- VCE: 10 V
- IC: 10 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 1 mV
- IC: 500 mA
- IB: 50 mA
- Transitfrequenz - ft: 250 MHz
- IC: 20 mA
- VCE: 20 V
- f: 100 MHz
- Typ
MMBT2222A-AQ
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
600 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
- VCE Sättigung (max.)
1 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
375
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2810117 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A-AQ SOT-23 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2810117 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A-AQ SOT-23 NPN
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