Abbildung ähnlich
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Infineon Technologies IRF530NPBF MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220AB Tube
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
70 W
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
3
-
€ 0,79358
9
8% = € 0,06
€ 0,72970
15
11% = € 0,09
€ 0,70415
30
13% = € 0,11
€ 0,68717
60
15% = € 0,12
€ 0,67438
120
18% = € 0,14
€ 0,65312
300
20% = € 0,16
€ 0,63178
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Anzahl
Min.: 3
Gesamt (€ 0,79358 / Stück)
€ 2,38
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Highlights & Details
INFI Leistungs-MOSFETs IRF_, IRL_ TO220A
- N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 50 Stück
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: 100 VGate-Source-Spannung: +/- 20 VDrain-Strom: 17 ADrain-Strom (pulsierend): 60 AAvalanche-Strom (sich wiederholend): 9,0 AVerlustleistung @ Tc = 25°C: 70 WDrain-Source-Durchlasswiderstand: 90 mOhmBetriebstemperatur: -55 - 175°C
- Verpackungsart
Tube
- Typ
IRF530NPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
17 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
70 W
- R(DS)(on)
0.09 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
17 A
- U(GS)(th) max.
20 V
- C(ISS)
920 pF
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Betriebstemperatur (max.)
175 °C
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026230 Infineon Technologies IRF530NPBF MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220AB Tube
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026230 Infineon Technologies IRF530NPBF MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220AB Tube
Beschreibung
Drain-Source-Spannung: 100 V
Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
Drain-Strom: 17 A
Drain-Strom (pulsierend): 60 A
Avalanche-Strom (sich wiederholend): 9,0 A
Verlustleistung @ Tc = 25°C: 70 W
Drain-Source-Durchlasswiderstand: 90 mOhm
Betriebstemperatur: -55 - 175°C