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Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220

Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
150 W
R(DS)(on)
150 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Sofort-Lieferung Do., 29. Okt.
418 Stück
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Conrad ElectronicWiderruf
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Highlights & Details

MOSFET (HEXFET /FETKY)

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

IRF640NPBF

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-220

Hersteller

Infineon Technologies

Herst.-Abk.

INF

Ausführung

N-Kanal

I(d)

18 A

U

200 V

Leistung (max) P(TOT)

150 W

R(DS)(on)

150 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

11 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

67 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

1160 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

25 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Durchführungsloch

Serie

HEXFET®

Betriebstemperatur (max.)

+175 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

200 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Wird oft zusammen gekauft

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)
Gesamtpreis:

€ 11,15*

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Zubehör

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)

Das notwendige Zubehör ist erforderlich, um den Artikel wie beschrieben zu verwenden

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