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Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-Kanal 580 W TO-247-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-247-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
580 W
R(DS)(on)
23 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
5
-
€ 5,41
15
6% = € 0,33
€ 5,08
25
9% = € 0,46
€ 4,95
50
10% = € 0,55
€ 4,86
100
11% = € 0,62
€ 4,79
200
13% = € 0,73
€ 4,68
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Min.: 5
Vielfache: 5
Gesamt (€ 5,41 / Stück)
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
IRFP90N20DPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-247-3
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
94 A
- U
200 V
- Leistung (max) P(TOT)
580 W
- R(DS)(on)
23 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
56 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
270 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
6040 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 564074 Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-Kanal 580 W TO-247-3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 564074 Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-Kanal 580 W TO-247-3