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Infineon Technologies IRLML6401TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
1.3 W
R(DS)(on)
50 mΩ
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
IRLML6401TRPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
4.3 A
- U
12 V
- Leistung (max) P(TOT)
1.3 W
- R(DS)(on)
50 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
4.3 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
- U(GS)(th) max.
0.95 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
15 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
5 V
- C(ISS)
830 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
12 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162832 Infineon Technologies IRLML6401TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162832 Infineon Technologies IRLML6401TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23
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