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ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 N-Kanal 235 W TO-220-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
235 W
R(DS)(on)
265 mΩ
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
€ 4,58
5
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10
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€ 4,16
25
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
FDP18N50
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
18 A
- U
500 V
- Leistung (max) P(TOT)
235 W
- R(DS)(on)
265 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
9 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
60 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
2860 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
UniFET™
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
500 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263794 ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 N-Kanal 235 W TO-220-3
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