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Infineon Technologies Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung BCR148S SOT-363 Anzahl Kanäle 2 NPN - vorgespannt Tape cut
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape cut
Produkt-Art
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Gehäuse
SOT-363
Ausführung
NPN - vorgespannt
Collector-Strom I(C)
100 mA
Datenblatt (PDF)
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-
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Highlights & Details
Doppel-Digitaltransistor-Array
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape cut
- Typ
BCR148S
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
- Gehäuse
SOT-363
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Kanäle
2
- Ausführung
NPN - vorgespannt
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
50 V
- VCE Sättigung (max.)
300 mV
- Leistung (max) P(TOT)
250 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
70
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 154134 Infineon Technologies Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung BCR148S SOT-363 Anzahl Kanäle 2 NPN - vorgespannt Tape cut
Beschreibung
Doppel-Digitaltransistor-Array.