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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV47E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape cut
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
500 mA
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
1
-
€ 0,16
50
12% = € 0,02
€ 0,14
100
19% = € 0,03
€ 0,13
250
25% = € 0,04
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Highlights & Details
NPN-Transistor
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape cut
- Typ
BCV47E6327
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
500 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
1 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
- Leistung (max) P(TOT)
360 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
10000
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
100 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Transitfrequenz f(T)
170 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 152975 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV47E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 152975 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV47E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut
Beschreibung
NPN-Transistor (8 mm-Gurt).