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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX41E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape cut
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
800 mA
Datenblatt (PDF)
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30
-
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Highlights & Details
NF-Transistor
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape cut
- Typ
BCX41E6327
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
800 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
125 V
- VCE Sättigung (max.)
900 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
10 µA
- Leistung (max) P(TOT)
330 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
40
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
200 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
1 V
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 153160 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX41E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 153160 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX41E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut
Beschreibung
NPN-Transistor (8 mm-Gurt) .