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Aktive Bauelemente Halbleiter Transistoren bipolar, IGBTs Transistoren

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33716TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
'Ein dreibeiniger Transistor in schwarzem Gehäuse. Die drei Metallanschlüsse sind in einer Linie angeordnet.'
Abbildung ähnlich
'Ein dreibeiniger Transistor in schwarzem Gehäuse. Die drei Metallanschlüsse sind in einer Linie angeordnet.'
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
ON Semiconductor
Nicht verfügbar

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Highlights & Details

Transistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

BC33716TA

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

800 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

45 V

VCE Sättigung (max.)

700 mV

Kollektor Reststrom I(CES)

100 nA

Leistung (max) P(TOT)

625 mW

DC Stromverstärkung (hFE)

100

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

100 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

1 V

Transitfrequenz f(T)

100 MHz

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Gehäuse
Collector-Strom I(C)
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
Leistung (max) P(TOT)
Ausführung
Produkt-Art
Montageart
 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33716TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33716TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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Dieser Artikel
TO-92-3
800 mA
45 V
625 mW
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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TO-92-3
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625 mW
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

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-200 mA
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Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2SC5200OTU TO-264 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2SC5200OTU TO-264 Anzahl Kanäle 1 NPN

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NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33740TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33740TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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NPN
Transistor (BJT) - diskret
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC516_D27Z TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC516_D27Z TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington

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Transistor (BJT) - diskret
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546BTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546BTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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100 mA
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NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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65 V
500 mW
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC547BTF TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC547BTF TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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100 mA
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Transistor (BJT) - diskret
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC547CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC547CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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TO-92-3
100 mA
45 V
500 mW
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Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch

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Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1262945 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33716TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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