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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD241CTU TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
3 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
EAN:
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Highlights & Details
Transistor
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Technische Daten
- Typ
BD241CTU
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
3 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
- VCE Sättigung (max.)
1.2 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
300 µA
- Leistung (max) P(TOT)
40 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
25
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
4 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
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Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263050 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD241CTU TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN
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