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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP112 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
2 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
Datenblatt (PDF)
810 Stück
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Technische Daten
- Typ
TIP112
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
2 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
- VCE Sättigung (max.)
2.5 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
2 mA
- Leistung (max) P(TOT)
2 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
1000
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
4 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 150900 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP112 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 150900 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP112 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Beschreibung
Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.