ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220 NPN Tube
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
8 A
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
25
-
€ 1,24
75
8% = € 0,10
€ 1,14
125
11% = € 0,14
€ 1,10
250
13% = € 0,16
€ 1,08
500
15% = € 0,18
€ 1,06
1000
17% = € 0,21
€ 1,03
2500
20% = € 0,25
€ 0,99
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Min.: 25
Vielfache: 25
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Highlights & Details
Schalt-Leistungstransistoren BU MJE
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tube
- Typ
MJE13007G
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
ON Semiconductor
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
8 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
400 V
- Leistung (max) P(TOT)
80 W
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 µA
- Transitfrequenz f(T)
0.014 GHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3027580 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220 NPN Tube
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3027580 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220 NPN Tube