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ON Semiconductor Z-Diode 1N5240BTR Gehäuseart (Halbleiter) DO-35 Zener-Spannung 10 V Leistung (max) P(TOT) 500 mW
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Z-Diode
Zener-Spannung U(Z)
10 V
Leistung (max) P(TOT)
500 mW
Durchlassspannung U(F)
1.2 V
Gehäuse
DO-35
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Highlights & Details
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Technische Daten
- Typ
1N5240BTR
- Produkt-Art
Z-Diode
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Zener-Spannung U(Z)
10 V
- Z.-Spg. Toleranz
+5 %
-5 %
- Leistung (max) P(TOT)
500 mW
- Impedanz
17 Ω
- Impedanz Referenz
20 mA
- Durchlassspannung U(F)
1.2 V
- Durchlassspannung Referenz
200 mA
- Betriebstemperatur (min.)
-65 °C
- Betriebstemperatur (max.)
+200 °C
- Konfiguration
einfache Diode
- Rest-Sperrstrom
3 µA
- Z.-Spg. max.
10.5 V
- Z.-Spg. min.
9.5 V
- Gehäuse
DO-35
- Montageart
Durchsteckmontage
