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STMicroelectronics IRF630 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
75 W
R(DS)(on)
400 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
3
-
€ 1,08
9
8% = € 0,09
€ 0,99
15
12% = € 0,13
€ 0,95
30
14% = € 0,15
€ 0,93
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Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF630
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
9 A
- U
200 V
- Leistung (max) P(TOT)
75 W
- R(DS)(on)
400 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
4.5 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
45 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
700 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-65 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
MESH OVERLAY™ II
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 155772 STMicroelectronics IRF630 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 155772 STMicroelectronics IRF630 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220AB