Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
STMicroelectronics Transistor: N-MOSFET ESD 400V 5,67A unipolar 110W TO220-3 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.55 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
10
-
€ 1,24
30
8% = € 0,10
€ 1,14
50
11% = € 0,14
€ 1,10
100
13% = € 0,16
€ 1,08
200
15% = € 0,18
€ 1,06
400
17% = € 0,21
€ 1,03
1000
20% = € 0,25
€ 0,99
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen € 0,00
Anzahl
Min.: 10
Vielfache: 10
Gesamt (€ 1,24 / Stück)
€ 12,40
zzgl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
STM Leistungs-MOSFETs STP_ TO220
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
Transistor: N-MOSFET ESD 400V 5,67A unipolar 110W TO220-3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
STMicroelectronics
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
9 A
- U
400 V
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.55 Ω
- Montageart
Durchführungsloch
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026589 STMicroelectronics Transistor: N-MOSFET ESD 400V 5,67A unipolar 110W TO220-3 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026589 STMicroelectronics Transistor: N-MOSFET ESD 400V 5,67A unipolar 110W TO220-3 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220
Beschreibung
Ausführung: ESD
Drain-Source Spannung: 400V
Drainstrom: 5,67A
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Source Spannung: ±30V
Drain-Source Spannung: 400V
Drainstrom: 5,67A
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Source Spannung: ±30V